[發(fā)明專利]用于單分子檢測的分子載體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210406131.0
• 申請日: 2010-12-31
• 公開（公告）號: CN102928387A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱振東;李群慶;張立輝;陳墨
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號: G01N21/55
• 分類號: G01N21/55;G01N21/65
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于單分子檢測的分子載體，其包括一基底，其特征在于，所述基底一表面設(shè)置有多個三維納米結(jié)構(gòu)，且所述三維納米結(jié)構(gòu)在所述基底表面以等間距行列式排布，以及一金屬層包覆于三維納米結(jié)構(gòu)表面及相鄰三維納米結(jié)構(gòu)之間基底的表面。

2.如權(quán)利要求1所述的分子載體，其特征在于，所述多個三維納米結(jié)構(gòu)按照等間距行列式排布、同心圓環(huán)排布或六角形密堆排布等方式排列。

3.如權(quán)利要求1所述的分子載體，其特征在于，所述多個三維納米結(jié)構(gòu)在所述基底的表面形成多個圖案，并且每一圖案均進一步包括多個三維納米結(jié)構(gòu)以行列式形式排布。

4.如權(quán)利要求3所述的分子載體，其特征在于，所述每一圖案為多個三維納米結(jié)構(gòu)排布形成的三角形、平行四邊形、體形、菱形、方形、矩形或圓形。

5.如權(quán)利要求1所述的分子載體，其特征在于，所述三維納米結(jié)構(gòu)為凸起結(jié)構(gòu)或凹陷結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的分子載體，其特征在于，所述三維納米結(jié)構(gòu)為半球狀結(jié)構(gòu)、半橢球狀結(jié)構(gòu)、倒金字塔狀結(jié)構(gòu)或階梯狀結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求1所述的分子載體，其特征在于，所述金屬層為金屬材料形成的一連續(xù)的層狀結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求7所述的分子載體，其特征在于，所述金屬層沉積于所述三維納米結(jié)構(gòu)的表面以及相鄰的三維納米結(jié)構(gòu)之間基底的表面。

9.如權(quán)利要求1所述的分子載體，其特征在于，所述金屬層的厚度為2納米～200納米。

10.一種用于單分子檢測的分子載體，其包括一基底，其特征在于，所述基底一表面設(shè)置有多個三維納米結(jié)構(gòu)，所述三維納米結(jié)構(gòu)分別沿一第一方向及一第二方向間隔排布，以及一金屬層包覆于三維納米結(jié)構(gòu)表面及相鄰三維納米結(jié)構(gòu)之間基底的表面。

11.如權(quán)利要求10所述的分子載體，其特征在于，所述三維納米結(jié)構(gòu)在第一方向上等間距間隔排布，所述三維納米結(jié)構(gòu)在第二方向上等間距間隔排布。

12.如權(quán)利要求11所述的分子載體，其特征在于，所述相鄰的三維納米結(jié)構(gòu)在第一方向上的間距為0納米～50納米，所述相鄰三維納米結(jié)構(gòu)在第二方向的間距為0納米～50納米。

13.如權(quán)利要求10所述的分子載體，其特征在于，所述第一方向與第二方向的夾角大于零度小于等于90度。

14.如權(quán)利要求10所述的分子載體，其特征在于，所述多個三維納米結(jié)構(gòu)在所述基底的表面形成多個圖案，每一圖案包括多個三維納米結(jié)構(gòu)分別沿第三方向及第四方向間隔排布。

15.如權(quán)利要求14所述的分子載體，其特征在于，所述第三方向與第四方向的夾角大于零度小于90度。

16.如權(quán)利要求14所述的分子載體，其特征在于，所述第三方向與第一方向及第二方向不同，所述第四方向與第一方向及第二方向不同。