[發明專利]具有位于互連上的單元圖案的半導體存儲器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201210405651.X | 申請日： | 2012-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN103117358A | 公開（公告）日： | 2013-05-22 |
| 發明（設計）人： | 李章旭 | 申請（專利權）人： | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 石卓瓊;俞波 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 位于 互連 單元 圖案 半導體 存儲 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體存儲器件，包括：
半導體襯底，在所述半導體襯底中限定有單元區、核心區以及外圍區并形成有底結構；
導線，所述導線形成在所述半導體襯底的整個結構上；
存儲器單元圖案，所述存儲器單元圖案形成在所述單元區中的導線上；以及
虛設導電圖案，所述虛設導電圖案形成在所述核心區和所述外圍區中的導線中的任何一個上。
2.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述單元圖案包括與所述單元區中的導線電連接的存取元件，以及
所述虛設導電圖案具有與所述存取元件相同的結構。
3.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述單元圖案具有層疊結構，且所述單元圖案的底結構具有與所述虛設導電圖案相同的結構。
4.一種制造半導體存儲器件的方法，所述方法包括以下步驟：
在限定有單元區、核心區以及外圍區的半導體襯底的整個結構上形成導線；以及
在所述單元區中的導線上形成單元圖案，并且在所述核心區或所述外圍區中的導線上形成虛設導電圖案。
5.如權利要求4所述的方法，其中，所述單元圖案包括與所述單元區中的導線電連接的存取元件，以及
所述虛設導電圖案與所述存取元件同時形成。
6.一種半導體存儲器件，包括：
字線，所述字線在單元區中；以及
虛設圖案，所述虛設圖案在核心區或外圍區中，
其中，所述字線和所述虛設圖案具有相同的結構，并距半導體襯底的平面具有相同的高度。
7.如權利要求6所述的半導體存儲器件，還包括存儲器單元圖案，所述存儲器單元圖案位于所述單元區中的所述字線上。
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