[發(fā)明專利]紅外焦平面探測(cè)器離子注入?yún)^(qū)陷阱濃度數(shù)據(jù)的提取方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210405502.3
• 申請(qǐng)日: 2012-10-22
• 公開（公告）號(hào): CN102928194A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡偉達(dá);葉振華;梁健;郭楠;李天信;殷菲;張波;崔昊楊;陳效雙;陸衛(wèi)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
• 主分類號(hào): G01M11/00
• 分類號(hào): G01M11/00
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種紅外焦平面探測(cè)器離子注入?yún)^(qū)陷阱濃度數(shù)據(jù)的提取方法，其特征在于包括如下步驟：

1)它通過在不同溫度條件下，利用微米尺度激光光斑激發(fā)紅外焦平面探測(cè)器樣品產(chǎn)生的光生載流子，檢測(cè)不同溫度條件下的光敏元pn結(jié)產(chǎn)生的激光束誘導(dǎo)電流，掃描得到的電流和位置的關(guān)系曲線線形呈對(duì)稱的兩對(duì)正負(fù)峰；中間兩個(gè)對(duì)稱峰，代表由于離子注入?yún)^(qū)與汞填隙擴(kuò)散區(qū)誘導(dǎo)的n/n+結(jié)形成的激光束誘導(dǎo)電流。外側(cè)的兩個(gè)對(duì)稱峰，代表由于汞填隙擴(kuò)散區(qū)與p吸收區(qū)誘導(dǎo)的n+/p結(jié)形成的激光束誘導(dǎo)電流;

2)構(gòu)建數(shù)值模擬，半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬的基本方程是泊松方程、電子與空穴的連續(xù)性方程、電子輸運(yùn)方程，光響應(yīng)可由載流子產(chǎn)生率加入方程，表面復(fù)合，包括SRH復(fù)合、Auger復(fù)合和輻射復(fù)合加入方程，同時(shí)還要考慮到載流子的熱效應(yīng)、高場(chǎng)飽和效應(yīng)，用有限元方法離散化聯(lián)立迭代求解，勢(shì)壘的隧穿效應(yīng)為獨(dú)立方程，與上述方程自洽求解；模擬中將離子注入?yún)^(qū)的陷阱離化濃度設(shè)為變量，外加入射光垂直照射到陣列結(jié)構(gòu)長(zhǎng)波碲鎘汞紅外探測(cè)器上，改變陷阱離化濃度，由數(shù)值模擬得到陷阱離化濃度隨溫度變化的曲線，飽和后的陷阱離化濃度即為離子注入?yún)^(qū)的陷阱濃度。