[發明專利]一種非晶硅平坦化方法在審
| 申請號： | 201210405322.5 | 申請日： | 2012-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN102874748A | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發明（設計）人： | 左青云 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 非晶硅 平坦 方法 | ||
1.一種非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述的方法具體包括如下步驟：
步驟S1：在具有臺階（102）的襯底（101）上淀積并完全覆蓋一層非晶硅層（103）；
?步驟S2：在所述非晶硅層（103）上旋涂一層有機材料層（104），以使所述有機材料層（104）完全覆蓋于所述非晶硅層（103）上；
?步驟S3：通過刻蝕所述有機材料層（104）和非晶硅層（103），以完全去除所述有機材料層（104），獲得所需厚度且表面平坦的所述非晶硅層（103）。
2.根據權利要求1所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述臺階（102）的高度為0.2-5um。
3.根據權利要求1所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述非晶硅層（103）是采用CVD或者PVD工藝淀積的。
4.根據權利要求1所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述非晶硅層（103）是可以選擇性地進行P型或者N型摻雜。
5.根據權利要求4所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述P型摻雜是對非晶硅層（103）進行硼摻雜。
6.根據權利要求5所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述硼摻雜的非晶硅層（103）厚度為0.5-20um，其中，所述非晶硅層（103）上表面的臺階高度為0.2-5um。
7.根據權利要求4所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述N型摻雜是對非晶硅層（103）進行磷、砷或銻摻雜。
8.根據權利要求1所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述有機材料層（104）是采用旋涂工藝淀積的，其中所述有機材料層（104）上表面為平坦化表面。
9.根據權利要求1所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述刻蝕所述有機材料層（104）和非晶硅層（103）采用的氣體為氟基氣體、氯基氣體、氧氣、氬氣、氦氣中的兩種或者幾種混合氣體。
10.根據權利要求1所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述刻蝕所述有機材料層（104）和非晶硅層（103）的刻蝕速率相同。
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