[發明專利]一種金屬-氧化物-金屬電容的形成方法

有效

• 申請號: 201210404988.9
• 申請日: 2012-10-22
• 公開（公告）號: CN102881565B
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 王全;全馮溪;周偉
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/02
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的形成方法，其中，所述金屬-氧化物-金屬電容包括第一電極和第二電極，所述第一電極和第二電極均采用指狀結構，分別由數個相互平行的指狀極板單端相連而成，所述第一電極與第二電極相對交錯排布，位于同層絕緣介質中；

其特征在于，所述形成方法包括如下步驟：

提供一晶圓基底；

在所述晶圓基底上沉積金屬層；

在所述金屬層表面沉積硬掩膜介質層；

在所述硬掩膜介質層上涂布第一光刻膠層，通過曝光、顯影，在所述第一光刻膠層定義第一電極圖形，完成第一次圖形化工藝；

對經過圖形化的所述第一光刻膠層進行固化處理；

在所述晶圓表面涂布第二光刻膠層，通過曝光、顯影，在所述第二光刻膠層定義第二電極圖形，完成第二次圖形化工藝；

以經過圖形化的所述第一光刻膠層和第二光刻膠層為掩膜，對所述硬掩膜介質層進行刻蝕；

以經過刻蝕的所述硬掩膜介質層為掩膜，對所述金屬層進行刻蝕，在所述金屬層中分別形成第一電極與第二電極，從而得到小于設計規則及光刻工藝約束的極板間間距；

在所述晶圓表面沉積絕緣介質層，形成金屬-氧化物-金屬電容。

2.如權利要求1所述的一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的形成方法，其特征在于，在對所述硬掩膜介質層進行刻蝕后，還包括去除所述第一光刻膠層和第二光刻膠層的步驟。

3.如權利要求1所述的一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的形成方法，其特征在于，在所述金屬層表面沉積硬掩膜介質層是通過等離子增強化學氣相沉積工藝實現的。

4.如權利要求1所述的一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的形成方法，其特征在于，對經過圖形化的所述第一光刻膠層進行固化處理是通過光刻膠的后烘烤工藝實現的。

5.如權利要求1所述的一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的形成方法，其特征在于，對經過圖形化的所述第一光刻膠層進行固化處理所采用的溫度為100℃～250℃。

6.如權利要求1所述的一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的形成方法，其特征在于，在所述晶圓表面沉積絕緣介質層后，還包括利用化學拋光工藝對所述絕緣介質層進行平坦化步驟。

7.如權利要求1所述的一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的形成方法，其特征在于，所述金屬層的材料為鋁。

8.如權利要求1所述的一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的形成方法，其特征在于，所述晶圓基底包括襯底及形成在所述襯底上的前道器件和N層后道金屬層，其中，N為大于等于零的整數。

9.一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的形成方法，其中，所述金屬-氧化物-金屬電容包括第一電極和第二電極，所述第一電極和第二電極均采用指狀結構，分別由數個相互平行的指狀極板單端相連而成，所述第一電極與第二電極相對交錯排布，位于同層絕緣介質中；

其特征在于，所述形成方法包括如下步驟：

提供一晶圓基底；

在所述晶圓基底上沉積金屬層；

在所述金屬層表面涂布第一光刻膠層，通過曝光、顯影，在所述第一光刻膠層定義第一電極圖形，完成第一次圖形化工藝；

對經過圖形化的所述第一光刻膠層進行固化處理；

在所述晶圓表面涂布第二光刻膠層，通過曝光、顯影，在所述第二光刻膠層定義第二電極圖形，完成第二次圖形化工藝；

以經過圖形化的所述第一光刻膠層和第二光刻膠層為掩膜，對所述金屬層進行刻蝕，在所述金屬層中分別形成第一電極和第二電極，從而得到小于設計規則及光刻工藝約束的極板間間距；

在所述晶圓表面沉積絕緣介質層，形成金屬-氧化物-金屬電容。

10.如權利要求9所述的一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的形成方法，其特征在于，對經過圖形化的所述第一光刻膠層進行固化處理是通過光刻膠的后烘烤工藝實現的；對經過圖形化的所述第一光刻膠層進行固化處理所采用的溫度為100℃～250℃。