[發明專利]一種雙重圖形化方法

有效

• 申請號: 201210404854.7
• 申請日: 2012-10-22
• 公開（公告）號: CN102881567B
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發明（設計）人: 易春艷
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,林彥之

1.一種雙重圖形化方法，其特征在于，包括以下步驟：

在襯底上依次形成介質層、硬掩膜層；

進行第一光刻膠層涂膠、曝光、顯影，以及對顯影后圖形的烘烤固化，以形成第一光刻膠圖形結構；

進行第二光刻膠層涂膠、曝光、顯影，以及對顯影后圖形的烘烤固化，以形成第二光刻膠圖形結構，所述第一光刻膠層與所述第二光刻膠層的類型不同；

在所述第一光刻膠圖形結構和所述第二光刻膠圖形結構之間形成旋涂玻璃層，且所述第一光刻膠圖形結構和所述第二光刻膠圖形結構的頂部外露；

以去膠工藝去除所述第一光刻膠圖形結構和所述第二光刻膠圖形結構；以及

以所述旋涂玻璃層為掩膜刻蝕所述硬掩膜層。

2.根據權利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述在所述第一光刻膠圖形結構和所述第二光刻膠圖形結構之間形成旋涂玻璃層，且所述第一光刻膠圖形結構和所述第二光刻膠圖形結構的頂部外露的步驟包括：

在所述第一光刻膠圖形結構和所述第二光刻膠圖形結構之間形成所述旋涂玻璃層，所述旋涂玻璃層的高度大于或等于所述第一光刻膠圖形結構和所述第二光刻膠圖形結構的頂部；以及

刻蝕所述旋涂玻璃層使所述第一光刻膠圖形結構和所述第二光刻膠圖形結構的頂部外露。

3.根據權利要求2所述的雙重圖形化方法，其特征在于，刻蝕所述旋涂玻璃層使所述第一光刻膠圖形結構和所述第二光刻膠圖形結構的頂部外露的方法包括對所述旋涂玻璃層進行反刻，并根據刻蝕時間控制反刻深度。

4.根據權利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述在襯底上依次形成介質層、硬掩膜層的步驟還包括：

在所述硬掩膜層上形成抗反射層。

5.根據權利要求4所述的雙重圖形化方法，其特征在于，還包括：

以所述旋涂玻璃層為掩膜刻蝕所述抗反射層。

6.根據權利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材料為鈦或氮化鈦。

7.根據權利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述去膠工藝為干法去膠或濕法去膠。