[發(fā)明專利]背面穿硅通孔與金屬連線制法、和背面用的光掩模制法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210404030.X
• 申請(qǐng)日: 2012-10-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103779266A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻(xiàn)文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;G03F1/38
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種制造背面穿硅通孔與金屬連線的方法，其特征在于：

進(jìn)行一穿孔中間制作工藝以于一半導(dǎo)體基板中形成一穿硅通孔結(jié)構(gòu)；

于該半導(dǎo)體基板的正面形成一凸塊；

將該半導(dǎo)體基板與一載板結(jié)合；

將該半導(dǎo)體基板的背面薄化以露出該穿硅通孔結(jié)構(gòu)；

于該半導(dǎo)體基板的背面涂布一光敏性介電層；

將該光敏性介電層圖案化而形成一開(kāi)口而露出該穿硅通孔結(jié)構(gòu)；

形成一凸塊下金屬層；

于該凸塊下金屬層上形成一金屬層，填滿該開(kāi)口并覆蓋于該光敏性介電層上方；

將該金屬層圖案化形成一背面金屬連線；

移除多余的該凸塊下金屬層；以及

將該半導(dǎo)體基板與該載板分開(kāi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的制造背面穿硅通孔與金屬連線的方法，其特征在于：

將該光敏性介電層圖案化而形成該開(kāi)口而露出該穿硅通孔結(jié)構(gòu)的步驟包括下列步驟：

進(jìn)行背面對(duì)準(zhǔn)以取得穿硅通孔結(jié)構(gòu)位置，

通過(guò)一與該穿硅通孔結(jié)構(gòu)位置對(duì)準(zhǔn)的光掩模對(duì)該光敏性介電層曝光，及

將該光敏性介電層顯影，形成該開(kāi)口以露出該穿硅通孔結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的制造背面穿硅通孔與金屬連線的方法，其特征在于：

于將該半導(dǎo)體基板的背面薄化以露出該穿硅通孔結(jié)構(gòu)的步驟后，還包括：

對(duì)該半導(dǎo)體基板進(jìn)行濕式清洗。

4.根據(jù)權(quán)利要求2的制造背面穿硅通孔與金屬連線的方法，其特征在于：

以下述步驟制作該光掩模：

以一上視圖的視角畫(huà)出該半導(dǎo)體基板的穿硅通孔結(jié)構(gòu)形狀與位置及預(yù)定該背面金屬連線形狀與位置的第一圖案；

將該第一圖案取一鏡像，以產(chǎn)生對(duì)該半導(dǎo)體基板背面的視角來(lái)看，該穿硅通孔結(jié)構(gòu)形狀與位置和預(yù)定該背面金屬連線形狀與位置的第二圖案；以及

根據(jù)該第二圖案制作該光掩模。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的制造背面穿硅通孔與金屬連線的方法，其特征在于：

該金屬層包括銅。

6.一種制作背面用的光掩模的方法，其特征在于：

以一上視圖的視角獲得一半導(dǎo)體基板正面的穿硅通孔結(jié)構(gòu)形狀與位置及一預(yù)定的背面金屬連線形狀與位置的第一圖案；

將該第一圖案取一鏡像，產(chǎn)生由該半導(dǎo)體基板背面的視角來(lái)看，該穿硅通孔結(jié)構(gòu)形狀與位置和該預(yù)定的背面金屬連線形狀與位置的第二圖案；以及

根據(jù)該第二圖案制作該背面用的光掩模。