[發明專利]一種導流筒及其制備方法

有效

• 申請號: 201210403733.0
• 申請日: 2012-10-22
• 公開（公告）號: CN102912425A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 廖寄喬;邰衛平;譚周建;李軍;王躍軍;龔玉良
• 申請（專利權）人: 湖南金博復合材料科技有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06;C04B35/83;C04B35/52
• 代理公司: 益陽市銀城專利事務所 43107
• 代理人: 舒斌;夏宗福

1.一種導流筒，它包括倒錐形筒體，所述的筒體包括外屏（3）、內屏（5），外屏（3）與內屏（5）之間設有保溫層（4），其特征是所述的外屏（3）由碳/碳復合材料制備而成，所述的內屏（5）由金屬鉬或金屬鎢制備而成，所述的外屏（3）上連接有將外屏（3）、內屏（5）、保溫層（4）蓋住的定位盤（1），使外屏（3）、內屏（5）、保溫層（4）與定位盤（1）構成整體結構。

2.一種導流筒，它包括倒錐形筒體，所述的筒體包括外屏（3）、內屏（5），外屏（3）與內屏（5）之間設有保溫層（4），其特征是所述的外屏（3）由碳/碳復合材料制備而成，所述的內屏（5）由金屬鉬或金屬鎢制備而成，所述的外屏（3）上連接有將外屏（3）、保溫層（4）蓋住的定位盤（1），使外屏（3）、內屏（5）、保溫層（4）與定位盤（1）構成整體結構。

3.根據權利要求2所述的導流筒，其特征是所述的定位盤（1）上設有將內屏（5）蓋住的密封環（6），所述密封環（6）采用金屬鉬或金屬鎢或石墨或碳/碳復合材料制成，采用金屬鉬或金屬鎢制成的密封環（6）的厚度為0.2㎜～1.6㎜，采用石墨制成的密封環（6）的厚度為3㎜～15㎜，采用碳/碳復合材料制成的密封環（6）的厚度為1㎜～10㎜。

4.根據權利要求1或2或3所述的導流筒，其特征是所述內屏（5）的厚度為0.5㎜～1.5㎜；所述定位盤（1）為整體或多瓣結構，采用石墨或碳/碳復合材料制成，厚度為5㎜～15㎜，由石墨制成的定位盤（1）的密度為1.7g/㎝³～2.0g/㎝³，由碳/碳復合材料制成的定位盤（1）的密度為0.6g/㎝³～1.5g/㎝³；所述外屏（3）的外側表面設有密度為1.6g/㎝³～2.0g/㎝³，厚度為0.5㎜～1.5㎜的熱解碳涂層。

5.一種導流筒的生產方法，其特征是它包括下列步驟：

⑴制坯：按產品裝配要求分別制備外屏（3）、內屏（5）、保溫層（4）、定位盤（1），外屏（3）為碳/碳復合材料，采用化學氣相沉積和/或浸漬制備，密度為0.8g/㎝³～1.5g/㎝³；定位盤（1）為碳/碳復合材料，采用化學氣相沉積和/或浸漬制備，密度為0.6g/㎝³～1.5g/㎝³，厚度為5㎜～15㎜，或定位盤（1）采用密度為1.7g/㎝³～2.0g/㎝³的石墨材料按所需尺寸機加工，厚度為5㎜～15㎜；保溫層（4）采用密度為0.1g/㎝³～0.5g/㎝³的固化氈或聚丙烯腈基碳氈制備；內屏（5）采用金屬鉬或金屬鎢制備成錐筒狀；

⑵純化：將步驟⑴中制備的外屏（3）、保溫層（4）、由碳/碳復合材料制成的定位盤（1）放入真空爐中進行高溫處理，去除金屬雜質和揮發分，純化溫度為1800℃～2600℃，保溫時間為1h～10h；

⑶表面涂層：將經步驟⑵處理后的外屏（3）放入CVD爐中，爐內抽真空，真空度為100Pa～400Pa，在真空環境中將爐溫升至900℃～1200℃，保溫3h～10h；氣相沉積時充入碳源氣體，爐內氣壓1kPa～5kPa，溫度900℃～1200℃，時間50h～150h；經該步驟后，外屏（3）的外側表面形成致密的熱解碳涂層，其密度為1.6g/㎝³～2.0g/㎝³，厚度為0.5㎜～1.5㎜；

⑷組裝筒體：將步驟⑶處理過的外屏（3）、步驟⑵處理過的保溫層（4）、步驟⑴中制備成形的內屏（5）由外至內組合，使保溫層（4）置于外屏（3）與內屏（5）之間，然后將步驟⑴中制備成形或經步驟⑵處理過的定位盤（1）通過緊固件與外屏（3）連接，使定位盤（1）蓋住外屏（3）、保溫層（4）、內屏（5），使外屏（3）、內屏（5）、保溫層（4）與定位盤（1）構成整體結構。