[發明專利]LED的量子阱結構及其生長方法無效
| 申請號： | 201210403280.1 | 申請日： | 2012-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN102881790A | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發明（設計）人： | 于斌;王耀國;郭麗彬 | 申請（專利權）人： | 合肥彩虹藍光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 230012 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 量子 結構 及其 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體發光二極管量子阱結構，包括：
淺壘層，其材料為氮化鎵；
淺阱層，其材料為氮化銦稼合金；
量子壘層，其材料為氮化銦稼合金；和
量子阱層，其材料為氮化銦稼合金。
2.如權利要求1所述的半導體發光二極管量子阱結構，其中，所述淺壘層、淺阱層、量子壘層和量子阱層組成的四層結構順序排列有多個。
3.如權利要求2所述的半導體發光二極管量子阱結構，其中，所述順序排列的四層結構為1-12個。
4.如權利要求1所述的半導體發光二極管量子阱結構，其中，淺阱層的組分及厚度設置為使得淺阱層中的電子的能級與量子阱層中的高激發能級共振。
5.一種如權利要求1所述的半導體發光二極管量子阱結構的生長方法，包括：采用一個淺壘層+一個淺阱層+一個量子壘層+一個量子阱層的結構的交替生長。
6.如權利要求5所述的半導體發光二極管量子阱結構的生長方法，其中，將淺阱層的生長溫度控制在低于量子壘層生長溫度10攝氏度的范圍，從而降低應力。
7.如權利要求5所述的半導體發光二極管量子阱結構的生長方法，其中，在量子壘層中摻雜銦和鋁，從而降低結構中的極化效應、提高晶體質量。
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