[發明專利]超結半導體器件

有效

• 申請號: 201210403233.7
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN103066125A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 田村隆博;大西泰彥;北村睦美
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張鑫

1.一種超結半導體器件，包括：

平行pn層，其中在具有維持截止態電壓的主結的第一導電率半導體襯底的一個和另兩個主表面之間的第一導電型漂移層具有由以交替接觸方式設置的多個第一導電型漂移區和第二導電型分隔區形成的兩個區，且p-n結與所述兩個區中的所述主表面垂直地并列，其中

所述兩個區各自的寬度使得當截止態電壓被施加至所述主結時從所述兩個區之間的所述pn結擴展到所述兩個區中的耗盡層可耗盡所述漂移區，且所述兩個區具有這樣的結構：其中在圍繞元件有源部分的環狀元件周邊部分中的第二平行pn層的重復節距間隔小于在所述元件有源部分中的第一平行pn層的重復節距間隔，主電流通過所述元件有源部分流動，

所述環狀元件周邊部分包括覆蓋所述第二平行pn層的所述表面的第一導電型表面層區，其雜質濃度低于所述漂移層的濃度，以及

所述環狀元件周邊部分中的外周部分的第二導電型分隔區的深度小于內周部分的第二導電型分隔區的深度。

2.如權利要求1所述的超結半導體器件，其特征在于，

所述環狀元件周邊部分中的外周部分的所述第二導電型分隔區的深度是所述內周部分的所述第二導電型分隔區的深度的五分之二或更小。

3.如權利要求1或2所述的超結半導體器件，其特征在于，包括：

兩個或更多個第二導電型保護環區，所述第二導電型保護環區彼此間隔開地設置從而圍繞所述元件周邊部分的所述低濃度第一導電型表面層區的所述表面層中的所述第一平行pn層的外周，且包括：

第二導電型分隔區，相比所述第二導電型保護環區更靠近所述外周側，其深度相比在內周側上的深度更小。

4.如權利要求3所述的超結半導體器件，其特征在于，包括：

置于所述第二導電型保護環區的所述表面的內周側和外周側上、與所述第二導電型保護環區導電連接的導電場板。

5.如權利要求1至2的任一項所述的超結半導體器件，其特征在于，

所述元件有源部分和所述元件周邊部分中的平行pn層的所述平面圖案是條狀或柵格形狀的組合。