[發明專利]半導體封裝體和堆疊半導體封裝體

無效

• 申請號: 201210402807.9
• 申請日: 2012-10-22
• 公開（公告）號: CN103066052A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 金圣敏
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L25/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種半導體封裝體，包括：

半導體芯片，具有多個接合墊；

電介質構件，形成在該半導體芯片之上使得各接合墊的一部分被暴露，并且具有梯形截面形狀；以及

凸塊，形成為覆蓋各該接合墊的暴露部分和該電介質構件的一部分，并且具有臺階狀截面形狀。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中每個凸塊包括：

第一平坦部分，形成在該接合墊的該暴露部分之上；

傾斜部分，從該第一平坦部分的一端傾斜延伸并且形成在該電介質構件的側表面之上；以及

第二平坦部分，從該傾斜部分的一端延伸到該電介質構件的上表面的中間。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中該凸塊包括：

種子金屬層，覆蓋該接合墊的該暴露部分和該電介質構件的一部分；以及

金屬鍍覆層，形成在該種子金屬層之上。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝體，其中該金屬鍍覆層包括具有第一熔點的第一金屬層和具有低于該第一熔點的第二熔點的第二金屬層。

5.一種半導體封裝體，包括：

半導體芯片，具有第一表面和背對該第一表面的第二表面，該第一表面上形成有多個接合墊，并且該半導體芯片形成有穿過該第一表面和該第二表面且與各接合墊連接的貫通電極；

電介質構件，形成在該第一表面之上使得各個該接合墊的一部分被暴露，并且形成在該第一表面和第二表面之上使得該貫通電極不被覆蓋，并且其中該電介質構件具有梯形截面形狀；以及

凸塊，形成在該半導體芯片的該第一表面和該第二表面的暴露部分之上以及該電介質構件的一部分之上，并且具有臺階狀截面形狀。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝體，其中每個凸塊包括：

第一平坦部分，形成在該接合墊的暴露部分之上；

傾斜部分，從該第一平坦部分的一端傾斜延伸并且形成在該電介質構件的側表面之上；以及

第二平坦部分，從該傾斜部分的一端延伸到該電介質構件的上表面的中間。

7.根據權利要求5所述的半導體封裝體，其中該凸塊包括：

種子金屬層，覆蓋該接合墊的該暴露部分和該電介質構件的一部分；以及

金屬鍍覆層，形成在該種子金屬層之上。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝體，其中該金屬鍍覆層包括具有第一熔點的第一金屬層和具有低于該第一熔點的第二熔點的第二金屬層。

9.根據權利要求5所述的半導體封裝體，其中形成在該半導體芯片的第一表面之上的該凸塊設置為覆蓋該接合墊的沒有被該電介質構件覆蓋的暴露部分以及該電介質構件的一半部分。

10.根據權利要求5所述的半導體封裝體，其中形成在該半導體芯片的第二表面之上的該凸塊設置為具有與各貫通電極連接的一端和覆蓋各電介質構件的一半的另一端。

11.一種堆疊半導體封裝體，包括：

第一半導體封裝體，包括半導體芯片、電介質構件和凸塊，該半導體芯片具有第一表面和第二表面并且在該第一表面之上形成有多個接合墊，該電介質構件形成為暴露各個該接合墊的一部分且具有梯形截面形狀，該凸塊形成為覆蓋各個該接合墊的暴露部分和該電介質構件的一部分并且具有臺階狀截面形狀；以及

第二半導體封裝體，具有與該第一半導體封裝體相同的結構，

其中該第一半導體封裝體和第二半導體封裝體堆疊為使得其凸塊彼此面對且彼此連接。

12.根據權利要求11所述的堆疊半導體封裝體，其中每個凸塊包括：

第一平坦部分，形成在該接合墊的暴露部分之上；

傾斜部分，從該第一平坦部分的一端傾斜延伸，并且形成在該電介質構件的側表面之上；以及

第二平坦部分，從該傾斜部分的一端延伸到該電介質構件的上表面的中間。

13.根據權利要求11所述的堆疊半導體封裝體，其中該凸塊包括：

種子金屬層，覆蓋該接合墊的該暴露部分和該電介質構件的一部分；以及

金屬鍍覆層，形成在該種子金屬層之上。

14.根據權利要求13所述的堆疊半導體封裝體，其中該金屬鍍覆層包括具有第一熔點的第一金屬層和具有低于該第一熔點的第二熔點的第二金屬層。