[發(fā)明專利]一種太陽電池的硅片清洗制絨方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210402361.X | 申請日: | 2012-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN102938431A | 公開(公告)日: | 2013-02-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 彭錚;李媛媛;王巍;楊磊;李正平;沈文忠 | 申請(專利權(quán))人: | 上海中智光纖通訊有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司: | 上海泰能知識產(chǎn)權(quán)代理事務所 31233 | 代理人: | 黃志達;謝文凱 |
| 地址: | 201108 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽電池 硅片 清洗 方法 | ||
1.一種太陽電池的清洗制絨方法,包括如下步驟:
(1)將硅片進行預清洗,然后用去離子水漂洗,得到預清洗后的硅片;
(2)將上述預清洗后的硅片放入堿性溶液中進行去損傷層刻蝕處理,然后用去離子水漂洗;
(3)將步驟(2)得到的去損傷層后的硅片用氫氟酸水溶液進行表面氧化層刻蝕腐蝕處理,然后用去離子水漂洗后干燥;
(4)將步驟(3)得到硅片進行預清洗,然后用去離子水漂洗;
(5)將經(jīng)過步驟(4)處理后的硅片放入制絨液中進行制絨,制絨后用去離子水漂洗;
(6)將步驟(5)得到的制絨后的硅片進行清洗以去除有機物,然后用去離子水漂洗;
(7)將步驟(6)清洗后的硅片置于含有HF和HNO3的去離子水溶液中進行表面拋光圓滑絨面處理,處理的溫度5-30°C,處理的時間是1-15分鐘,處理后用去離子水漂洗;其中含有HF和HNO3的去離子水溶液中HF的質(zhì)量百分數(shù)為0.1-2%,HNO3的質(zhì)量百分數(shù)為40-60%,去離子水的質(zhì)量百分數(shù)為38-59.9%;
(8)將經(jīng)過步驟(7)處理后的硅片進行清洗以去除金屬雜質(zhì)離子,然后用去離子水漂洗;
(9)將經(jīng)過步驟(8)處理后的硅片用氫氟酸水溶液進行表面氧化層刻蝕腐蝕處理,最后干燥即可。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽電池的清洗制絨方法,其特征在于:步驟(1)和(4)中所述的預清洗中所用的清洗液為含有NH4OH和H2O2的去離子水溶液,其中NH4OH的質(zhì)量百分數(shù)為2-5%,H2O2的質(zhì)量百分數(shù)為3-6%,去離子水的質(zhì)量百分數(shù)為89-95%,預清洗的溫度是50-90°C,預清洗的時間為2-12分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽電池的清洗制絨方法,其特征在于:步驟(2)中所述的堿性溶液為質(zhì)量百分數(shù)為1-10%的NaOH或KOH水溶液,所述的去損傷層刻蝕處理的處理溫度為50-90°C,處理時間是1-6分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽電池的清洗制絨方法,其特征在于:步驟(3)和(9)中所述的氫氟酸水溶液中氫氟酸的質(zhì)量百分數(shù)為1-10%,所述的腐蝕處理中腐蝕溫度為10-30°C,腐蝕時間為1-6分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽電池的清洗制絨方法,其特征在于:步驟(3)和(9)中所述的干燥為用熱風干燥,干燥溫度為60-80°C,干燥時間為15-40分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽電池的清洗制絨方法,其特征在于:步驟(5)中所述的制絨液的成分為NaOH/KOH、添加劑和去離子水,其中NaOH/KOH、添加劑和去離子水所占的質(zhì)量分數(shù)分別為1-10%、0.1-1.0%和89-98.9%;所述的制絨的溫度為50-90°C,制絨的時間為15-40分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種太陽電池的清洗制絨方法,其特征在于:所述的添加劑為含有表面活性劑的甲醇/乙醇/水的混合液。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽電池的清洗制絨方法,其特征在于:步驟(6)中所述的清洗中所用的清洗液為含有NH4OH和H2O2的去離子水溶液,其中NH4OH的質(zhì)量百分數(shù)為2-5%,H2O2的質(zhì)量百分數(shù)為3-6%,去離子水的質(zhì)量百分數(shù)為89-95%,清洗的溫度是50-90°C,清洗的時間為2-8分鐘。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽電池的清洗制絨方法,其特征在于:步驟(8)所述的清洗中所用的清洗液為含有HCl和H2O2的去離子水溶液,其中HCl的質(zhì)量百分數(shù)為1-10%,H2O2的質(zhì)量百分數(shù)為1-5%,去離子水的質(zhì)量百分數(shù)為85-98%;所述清洗的溫度為50-90°C,清洗的時間為1-10分鐘。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海中智光纖通訊有限公司,未經(jīng)上海中智光纖通訊有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210402361.X/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





