[發(fā)明專(zhuān)利]減少反應(yīng)腔內(nèi)雜質(zhì)顆粒的方法和化學(xué)氣相沉積設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210402056.0 | 申請(qǐng)日： | 2012-10-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102912318A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 杜杰;姜國(guó)偉;牟善勇;趙高輝;高峰;任逸 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | C23C16/44 | 分類(lèi)號(hào)： | C23C16/44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 減少 反應(yīng) 雜質(zhì) 顆粒 方法 化學(xué) 沉積 設(shè)備 | ||
1.一種減少反應(yīng)腔內(nèi)雜質(zhì)顆粒的方法，其特征在于，包括：
提供反應(yīng)腔；
提供替換基片于所述反應(yīng)腔內(nèi)；
在所述替換基片上及反應(yīng)腔內(nèi)壁形成覆蓋層，所述覆蓋層能吸附反應(yīng)腔內(nèi)的雜質(zhì)顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少反應(yīng)腔內(nèi)雜質(zhì)顆粒的方法，其特征在于，所述反應(yīng)腔為化學(xué)氣相沉積工藝的反應(yīng)腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少反應(yīng)腔內(nèi)雜質(zhì)顆粒的方法，其特征在于，形成所述覆蓋層的工藝為化學(xué)氣相沉積。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的減少反應(yīng)腔內(nèi)雜質(zhì)顆粒的方法，其特征在于，所述化學(xué)氣相沉積工藝中的反應(yīng)物為四二甲基胺鈦、三甲基鎵、三乙酰丙酮銥或二乙酰丙酮鉑。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的減少反應(yīng)腔內(nèi)雜質(zhì)顆粒的方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成覆蓋層之前，放置替換基片于反應(yīng)腔內(nèi)的加熱平臺(tái)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的減少反應(yīng)腔內(nèi)雜質(zhì)顆粒的方法，其特征在于，形成所述覆蓋層的溫度范圍為350℃~400℃，壓力范圍為1托~5托，反應(yīng)時(shí)間為0~300秒。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少反應(yīng)腔內(nèi)雜質(zhì)顆粒的方法，其特征在于，所述覆蓋層含有有機(jī)成分，所述有機(jī)成分具有極性共價(jià)鍵，能吸附反應(yīng)腔內(nèi)的雜質(zhì)顆粒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少反應(yīng)腔內(nèi)雜質(zhì)顆粒的方法，其特征在于，所述覆蓋層含有C、H元素，形成C-H極性共價(jià)鍵。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少反應(yīng)腔內(nèi)雜質(zhì)顆粒的方法，其特征在于，形成的所述覆蓋層的厚度為
10.一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備，包括反應(yīng)腔，其特征在于，所述反應(yīng)腔內(nèi)壁具有覆蓋層，所述覆蓋層能吸附反應(yīng)腔內(nèi)的雜質(zhì)顆粒。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述反應(yīng)腔為化學(xué)氣相沉積工藝的反應(yīng)腔。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述覆蓋層采用化學(xué)氣相沉積工藝形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述化學(xué)氣相沉積工藝中的反應(yīng)物包括四二甲基胺鈦、三甲基鎵、三乙酰丙酮銥或二乙酰丙酮鉑。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述化學(xué)氣相沉積工藝的溫度范圍為350℃~400℃，壓力范圍為1托~5托，反應(yīng)時(shí)間為0~300秒。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述覆蓋層含有有機(jī)成分，所述有機(jī)成分具有極性共價(jià)鍵，能吸附反應(yīng)腔內(nèi)的雜質(zhì)顆粒。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述覆蓋層含有C、H元素，形成C-H極性共價(jià)鍵。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述覆蓋層的厚度為
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上，例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
