[發明專利]一種基底上ITO薄膜圖案化方法無效
| 申請號： | 201210401751.5 | 申請日： | 2012-10-19 |
| 公開（公告）號： | CN102969393A | 公開（公告）日： | 2013-03-13 |
| 發明（設計）人： | 蘇仕健;江志雄;周軍紅;彭俊彪;曹鏞 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L51/56;H01J9/02 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 楊曉松 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基底 ito 薄膜 圖案 方法 | ||
1.一種基底上ITO薄膜圖案化方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）在基底上沉積好一層ITO薄膜；
（2）將貼膜緊密地貼合于步驟（1）的ITO薄膜之上，并且去除貼膜與ITO薄膜之間的氣泡，其中貼膜為被圖案化的；
（3）通過刻蝕方法去除步驟（2）中露出的ITO薄膜部分；
（4）撕去貼膜，得到圖案化ITO薄膜。
2.根據權利要求1所述的基底上ITO薄膜圖案化方法，其特征在于，所述步驟（1）中的基底為柔性基底、玻璃基底或者硅材料基底。
3.根據權利要求1所述的基底上ITO薄膜圖案化方法，其特征在于，所述步驟（2）中貼膜的材料為塑料基材，所述塑料基材為PET、PEN、PES或PE。
4.根據權利要求1所述的基底上ITO薄膜圖案化方法，其特征在于，所述步驟（2）中貼膜的圖案是在貼附于ITO薄膜之前預先設置好的。
5.根據權利要求1所述的基底上ITO薄膜圖案化方法，其特征在于，所述步驟（2）中貼膜的圖案在貼附于ITO薄膜之后借助掩模板刻畫的。
6.根據權利要求1、3、4或5所述的基底上ITO薄膜圖案化方法，其特征在于，所述貼膜與ITO薄膜貼合的一面有粘性物質，貼膜通過粘性物質的粘附力以及貼膜與ITO薄膜之間的靜電力緊密的貼附于ITO薄膜表面，其中所述粘性物質為壓敏膠。
7.根據權利要求1所述的基底上ITO薄膜圖案化方法，其特征在于，所述步驟（3）通過濕法刻蝕去除步驟（2）中露出的ITO薄膜部分。
8.根據權利要求7所述的基底上ITO薄膜圖案化方法，其特征在于，所述濕法刻蝕所使用的腐蝕劑為王水、鹽酸、草酸或者氯化鐵與水的混合液。
9.根據權利要求1所述的基底上ITO薄膜圖案化方法，其特征在于，所述步驟（3）通過干法刻蝕去除步驟（2）中露出的ITO薄膜部分。
10.根據權利要求1所述的基底上ITO薄膜圖案化方法，其特征在于，所述步驟（1）中ITO薄膜的沉積方式為濺鍍、化學氣相沉積或噴霧高溫分解方式。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
