[發明專利]一種晶體硅太陽能電池三層減反射膜及其制備方法

無效

• 申請號: 201210401707.4
• 申請日: 2012-10-22
• 公開（公告）號: CN103000706A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 張晨;張森林
• 申請（專利權）人: 江蘇晨電太陽能光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;B32B9/00;H01L31/18;C23C16/34;C23C16/44
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 張惠忠

1.一種晶體硅太陽能電池三層減反射膜，其特征在于：其是由三層膜構成，第一層為太陽能電池晶體硅表面的二氧化硅薄膜，厚度為15-25nm，折射率為1.46-1.47；第二層膜為二氧化鈦薄膜，厚度為40-60nm，折射率為2.08-2.36，第三層薄膜為氮化硅薄膜，厚度為20-70nm，折射率為2.1-2.5。

2.一種晶體硅太陽能電池三層減反射膜的制備方法，是對經過清洗制絨，擴散制備PN結，刻蝕去除晶體硅四周的PN結，清洗去除磷硅玻璃的處理步驟后的晶體硅鍍減反射膜，其特征在于它包括以下步驟：

(1)在擴散爐內用熱氧化方法在晶體硅表面生長一層二氧化硅薄膜；

(2)采用溶膠凝膠法在步驟(1)的二氧化硅薄膜表面形成二氧化鈦薄膜；

(3)利用等離子體增強化學氣相沉積方法在步驟(2)的二氧化鈦薄膜上沉積一層氮化硅薄膜；

(4)在上述氮化硅薄膜上印刷正反面電極、背場后進行燒結操作。

3.根據權利要求2所述的晶體硅太陽能電池三層減反射膜的制備方法，其特征在于所述的步驟(1)的工藝條件為：通入氮氣流量為5-35L/min，氧氣流量為10-40?L/min，溫度為600-700℃，反應時間10-40min。

4.根據權利要求2所述的晶體硅太陽能電池三層減反射膜的制備方法，其特征在于所述的步驟(2)包括如下步驟：

(1)將四氯化鈦、無水乙醇混合，攪拌形成透明溶液，再滴加蒸餾水并攪拌均勻；

(2)將二氧化鈦粒子加入上述溶膠中，超聲分散處理40-50min，形成二氧化鈦粒子分散的涂覆漿體；

(3)將上述二氧化鈦涂覆漿體采用絲網印刷方法在二氧化硅薄膜表面印刷二氧化鈦薄膜。

5.根據權利要求2所述的晶體硅太陽能電池三層減反射膜的制備方法，其特征在于所述的步驟(3)的工藝條件為：溫度為480℃，氨氣流量為2.7-3.1L/min，硅烷流量為11-14?L/min，射頻功率4300瓦，持續時間1min。

6.根據權利要求5所述的晶體硅太陽能電池三層減反射膜的制備方法，其特征在于所述的步驟(3)的工藝條件為：氨氣流量為3L/min，硅烷流量為12L/min。