[發明專利]封裝基板及其制作工藝、半導體元件封裝結構及制作工藝

有效

• 申請號: 201210401532.7
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN103066051A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 林少雄;周輝星
• 申請（專利權）人: 先進封裝技術私人有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種封裝基板，包括：

介電層，具有上表面以及下表面；

第一導電層，內埋于該介電層中，并顯露一第一表面于該介電層的上表面，該第一表面切齊該介電層的上表面或內凹于該介電層的上表面；以及

第二導電層，內埋于該介電層中與該第一導電層接觸，并顯露一第二表面于該介電層的下表面，該第二表面切齊于該介電層的下表面或內凹于該介電層的下表面。

2.如權利要求1所述的封裝基板，還包括接合墊，配置于該第一導電層的第一表面上或內埋于該第一導電層中。

3.如權利要求2所述的封裝基板，其中當該第一導電層的第一表面內凹于該介電層的上表面時，該接合墊部分地或全部地內埋于該介電層中，以使該接合墊的相對兩側單獨被該介電層的側壁限制于一凹穴內。

4.如權利要求2所述的封裝基板，其中當該第一導電層的第一表面切齊該介電層的上表面時，該接合墊部分地或全部地內埋于該第一導電層與該介電層中，以使該接合墊的周圍同時被該第一導電層與該介電層的側壁限制于該凹穴內。

5.如權利要求2所述的封裝基板，其中當該第一導電層的第一表面切齊該介電層的上表面時，該接合墊配置于該第一導電層的第一表面上。

6.如權利要求1所述的封裝基板，還包括一環形補強結構，連接于該介電層的周圍，該環形補強結構環繞該介電層的該上表面，并顯露該第一導電層的該第一表面于該環形補強結構的一開口中。

7.如權利要求6所述的封裝基板，其中該環形補強結構具有一定位孔。

8.如權利要求1所述的封裝基板，還包括一焊接層，覆蓋該第二導電層的該第二表面。

9.一種封裝基板制作工藝，包括：

提供一導電基板；

形成一第一光致抗蝕劑層于該導電基板上，該第一光致抗蝕劑層經圖案化而形成多個第一開口，以顯露出部分該導電基板；

形成一第一導電層于該些第一開口中；

形成一第二光致抗蝕劑層于該第一光致抗蝕劑層以及該第一導電層上，該第二光致抗蝕劑層經圖案化而形成多個第二開口，以顯露出部分該第一導電層；

形成一第二導電層于該些第二開口中，并與該第一導電層接觸；

移除該第一及第二光致抗蝕劑層；

形成一介電層于該導電基板上，該介電層覆蓋該第一導電層、該第二導電層以及部分該導電基板；

移除部分該介電層，以顯露出該第二導電層的一表面于該介電層的下表面，該第二導電層的該表面切齊于該介電層的下表面；

形成一第三光致抗蝕劑層于該導電基板以及該介電層上，該第三光致抗蝕劑層經圖案化而形成一第三開口，以顯露出部分該導電基板；

移除部分該導電基板，以形成一第四開口，并顯露該第一導電層的一表面與該介電層的上表面于該第四開口中，該第一導電層的該表面切齊于該介電層的上表面；

移除該第三光致抗蝕劑層；

形成一第四光致抗蝕劑層于該導電基板、該介電層、該第一導電層以及該第二導電層上，該第四光致抗蝕劑層經圖案化而形成一第五開口，以顯露出該第一導電層的部分該表面；

形成一接合墊于該第五開口中；以及

移除該第四光致抗蝕劑層。

10.如權利要求9所述的封裝基板制作工藝，其中形成該第四開口之后，還包括蝕刻該第一導電層的該表面，以使該第一導電層的該表面內凹于該該介電層的上表面。

11.如權利要求9所述的封裝基板制作工藝，其中形成該第五開口之后，還包括蝕刻該第一導電層的部分該表面，以形成一凹穴。

12.如權利要求9所述的封裝基板制作工藝，其中移除部分該導電基板時，未被移除的該導電基板的外側部形成一環形補強結構，連接于該介電層的周圍，且該環形補強結構環繞該介電層的該上表面。

13.如權利要求9所述的封裝基板制作工藝，還包括移除該導電基板的部分外側部，以形成一定位孔于該環形補強結構中。

14.如權利要求9所述的封裝基板制作工藝，其中移除該第四光致抗蝕劑層后，還包括形成一焊接層于該第二導電層上，該焊接層覆蓋該第二導電層的該表面。