[發(fā)明專(zhuān)利]封裝基板及其制作工藝、半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)及制作工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210401532.7
• 申請(qǐng)日: 2012-10-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103066051A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林少雄;周輝星
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 先進(jìn)封裝技術(shù)私人有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/498
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種封裝基板，包括：

介電層，具有上表面以及下表面；

第一導(dǎo)電層，內(nèi)埋于該介電層中，并顯露一第一表面于該介電層的上表面，該第一表面切齊該介電層的上表面或內(nèi)凹于該介電層的上表面；以及

第二導(dǎo)電層，內(nèi)埋于該介電層中與該第一導(dǎo)電層接觸，并顯露一第二表面于該介電層的下表面，該第二表面切齊于該介電層的下表面或內(nèi)凹于該介電層的下表面。

2.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，還包括接合墊，配置于該第一導(dǎo)電層的第一表面上或內(nèi)埋于該第一導(dǎo)電層中。

3.如權(quán)利要求2所述的封裝基板，其中當(dāng)該第一導(dǎo)電層的第一表面內(nèi)凹于該介電層的上表面時(shí)，該接合墊部分地或全部地內(nèi)埋于該介電層中，以使該接合墊的相對(duì)兩側(cè)單獨(dú)被該介電層的側(cè)壁限制于一凹穴內(nèi)。

4.如權(quán)利要求2所述的封裝基板，其中當(dāng)該第一導(dǎo)電層的第一表面切齊該介電層的上表面時(shí)，該接合墊部分地或全部地內(nèi)埋于該第一導(dǎo)電層與該介電層中，以使該接合墊的周?chē)瑫r(shí)被該第一導(dǎo)電層與該介電層的側(cè)壁限制于該凹穴內(nèi)。

5.如權(quán)利要求2所述的封裝基板，其中當(dāng)該第一導(dǎo)電層的第一表面切齊該介電層的上表面時(shí)，該接合墊配置于該第一導(dǎo)電層的第一表面上。

6.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，還包括一環(huán)形補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)，連接于該介電層的周?chē)?，該環(huán)形補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)環(huán)繞該介電層的該上表面，并顯露該第一導(dǎo)電層的該第一表面于該環(huán)形補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)的一開(kāi)口中。

7.如權(quán)利要求6所述的封裝基板，其中該環(huán)形補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)具有一定位孔。

8.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，還包括一焊接層，覆蓋該第二導(dǎo)電層的該第二表面。

9.一種封裝基板制作工藝，包括：

提供一導(dǎo)電基板；

形成一第一光致抗蝕劑層于該導(dǎo)電基板上，該第一光致抗蝕劑層經(jīng)圖案化而形成多個(gè)第一開(kāi)口，以顯露出部分該導(dǎo)電基板；

形成一第一導(dǎo)電層于該些第一開(kāi)口中；

形成一第二光致抗蝕劑層于該第一光致抗蝕劑層以及該第一導(dǎo)電層上，該第二光致抗蝕劑層經(jīng)圖案化而形成多個(gè)第二開(kāi)口，以顯露出部分該第一導(dǎo)電層；

形成一第二導(dǎo)電層于該些第二開(kāi)口中，并與該第一導(dǎo)電層接觸；

移除該第一及第二光致抗蝕劑層；

形成一介電層于該導(dǎo)電基板上，該介電層覆蓋該第一導(dǎo)電層、該第二導(dǎo)電層以及部分該導(dǎo)電基板；

移除部分該介電層，以顯露出該第二導(dǎo)電層的一表面于該介電層的下表面，該第二導(dǎo)電層的該表面切齊于該介電層的下表面；

形成一第三光致抗蝕劑層于該導(dǎo)電基板以及該介電層上，該第三光致抗蝕劑層經(jīng)圖案化而形成一第三開(kāi)口，以顯露出部分該導(dǎo)電基板；

移除部分該導(dǎo)電基板，以形成一第四開(kāi)口，并顯露該第一導(dǎo)電層的一表面與該介電層的上表面于該第四開(kāi)口中，該第一導(dǎo)電層的該表面切齊于該介電層的上表面；

移除該第三光致抗蝕劑層；

形成一第四光致抗蝕劑層于該導(dǎo)電基板、該介電層、該第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層上，該第四光致抗蝕劑層經(jīng)圖案化而形成一第五開(kāi)口，以顯露出該第一導(dǎo)電層的部分該表面；

形成一接合墊于該第五開(kāi)口中；以及

移除該第四光致抗蝕劑層。

10.如權(quán)利要求9所述的封裝基板制作工藝，其中形成該第四開(kāi)口之后，還包括蝕刻該第一導(dǎo)電層的該表面，以使該第一導(dǎo)電層的該表面內(nèi)凹于該該介電層的上表面。

11.如權(quán)利要求9所述的封裝基板制作工藝，其中形成該第五開(kāi)口之后，還包括蝕刻該第一導(dǎo)電層的部分該表面，以形成一凹穴。

12.如權(quán)利要求9所述的封裝基板制作工藝，其中移除部分該導(dǎo)電基板時(shí)，未被移除的該導(dǎo)電基板的外側(cè)部形成一環(huán)形補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)，連接于該介電層的周?chē)以摥h(huán)形補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)環(huán)繞該介電層的該上表面。

13.如權(quán)利要求9所述的封裝基板制作工藝，還包括移除該導(dǎo)電基板的部分外側(cè)部，以形成一定位孔于該環(huán)形補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)中。

14.如權(quán)利要求9所述的封裝基板制作工藝，其中移除該第四光致抗蝕劑層后，還包括形成一焊接層于該第二導(dǎo)電層上，該焊接層覆蓋該第二導(dǎo)電層的該表面。