[發明專利]基于多維電場模式的光學傳感式觸摸屏及其制備方法

有效

• 申請號: 201210401431.X
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN102955622A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 胡明;徐宇博;林炳仟
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G06F3/042
• 分類號: G06F3/042;G02F1/1333;G02F1/1362
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種基于多維電場模式的光學傳感式觸摸屏，包括：具有柵極信號線、公共電極線和數據信號線的TFT陣列基板，所述柵極信號線和公共電極線布線方向相同，所述數據信號線與所述柵極信號線和公共電極線交疊設置，其特征在于，還包括：傳感信號線、傳感控制線、以及設置在所述傳感信號線與所述傳感控制線交疊處的光學傳感單元；其中，

所述傳感信號線設置在至少一條所述數據信號線的一側且與所述數據信號線的布線方向相同；

將至少一條所述公共電極線設置為所述傳感控制線；

每個所述光學傳感單元與相鄰的柵極信號線、傳感信號線和傳感控制線相連，用于在傳感控制線和柵極信號線同時傳遞電信號時，將照射到所述光學傳感單元的光強轉化為電壓信號通過所述傳感信號線輸出。

2.如權利要求1所述的光學傳感式觸摸屏，其特征在于，所述光學感應單元包括：光學感應器件和感應開關器件；其中，

所述光學感應器件與所述傳感控制線和感應開關器件相連，用于在傳感控制線傳遞電信號時，將照射到所述光學感應器件的光強轉化為電壓信號輸出到感應開關器件；

所述感應開關器件與所述柵極信號線和傳感信號線相連，用于在柵極信號線傳遞電信號時，將光學感應器件輸出的電壓信號傳遞給所述傳感信號線。

3.如權利要求2所述的光學傳感式觸摸屏，其特征在于，所述光學感應器件為第一薄膜晶體管器件，所述感應開關器件為第二薄膜晶體管器件；其中，

所述第一薄膜晶體管器件的柵極和漏極與所述傳感控制線相連，源極與所述第二薄膜晶體管器件的漏極相連；

所述第二薄膜晶體管器件的柵極與所述柵極信號線，源極與所述傳感信號線相連。

4.如權利要求3所述的光學傳感式觸摸屏，其特征在于，所述TFT陣列基板具有設置于像素電極和公共電極之間的絕緣層，所述絕緣層與所述第一薄膜晶體管器件的漏極對應的區域無圖案。

5.如權利要求4所述的光學傳感式觸摸屏，其特征在于，還包括：與所述TFT陣列基板相對設置的彩膜基板，所述彩膜基板具有的黑矩陣與所述第一薄膜晶體管陣器件的漏極對應的區域無圖案。

6.如權利要求1-5任一項所述的光學傳感式觸摸屏，其特征在于，各所述傳感信號線之間的間距相同，各所述傳感控制線之間的間距相同。

7.如權利要求6所述的光學傳感式觸摸屏，其特征在于，各所述傳感信號線之間的間距與各所述傳感控制線之間的間距相同。

8.一種如權利要求1-7任一項所述的基于多維電場模式的光學傳感式觸摸屏的制備方法，其特征在于，包括：

利用一次構圖工藝，在TFT陣列基板的襯底上形成像素柵極和柵極信號線的圖形、作為傳感控制線的公共電極的圖形、與所述傳感控制線相連的第一薄膜晶體管器件柵極的圖形、以及與所述柵極信號線相連的第二薄膜晶體管器件柵極的圖形；

形成覆蓋襯底的柵絕緣層，以及，利用一次構圖工藝，形成位于柵絕緣層之上的像素有源層、源極和漏極的圖形、與像素源極相連的數據信號線的圖形、第一薄膜晶體管器件有源層、源極和漏極的圖形、第二薄膜晶體管器件有源層、源極和漏極的圖形、以及與第二薄膜晶體管器件源極相連的傳感信號線的圖形；

其中，所述第一薄膜晶體管器件和第二薄膜晶體管器件組成光學感應單元；用于在傳感控制線和柵極信號線同時傳遞電信號時，將照射到所述光學傳感單元的光強轉化為電壓信號通過所述傳感信號線輸出。

9.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于，在形成覆蓋襯底的柵絕緣層，還包括：利用一次構圖工藝，形成位于柵絕緣層之上的公共電極的圖形；

在形成像素有源層、源極和漏極的圖形、第一薄膜晶體管器件有源層、源極和漏極的圖形、以及第二薄膜晶體管器件有源層、源極和漏極的圖形之后，還包括：

利用一次構圖工藝，形成位于像素源極和漏極、第一薄膜晶體管器件源極和漏極、以及第二薄膜晶體管器件源極和漏極之上的絕緣層的圖形；

利用一次構圖工藝，形成位于絕緣層之上、公共電極上方的像素電極的圖形。

10.如權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的圖形與所述第一薄膜晶體管器件的漏極對應的區域無圖案。