[發明專利]一種六方片狀結構Sm2O3 半導體納米晶的制備方法無效
| 申請號: | 201210401417.X | 申請日: | 2012-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN102897818A | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發明(設計)人: | 殷立雄;黃劍鋒;郝巍;李嘉胤;吳建鵬;曹麗云;費杰 | 申請(專利權)人: | 陜西科技大學 |
| 主分類號: | C01F17/00 | 分類號: | C01F17/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 陸萬壽 |
| 地址: | 710021 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 片狀 結構 sm sub 半導體 納米 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種Sm2O3納米晶的制備方法,特別涉及一種溶劑熱法制備六方片狀結構Sm2O3半導體納米晶的方法。
背景技術
Sm2O3是一種淡黃色粉末,易潮解,不溶于水,易溶于無機酸。Sm2O3是新一代的能量轉化材料、半導體材料及高性能催化劑材料。納米Sm2O3還可以用于陶瓷電容器。在磁性材料方面,納米Sm2O3主要用于制備稀土永磁材料;此外Sm2O3薄膜還可用于電子器體、磁性材料和特種玻璃的濾光器中,具有廣闊的發展應有前景。
Sm2O3晶體具有三種晶型,屬于多晶相轉化的氧化物,室溫下為單斜晶相,在常溫常壓下為淡黃色半導體,其熔點為2269℃,沸點為3507℃。當溫度高于850℃時,單斜晶相轉變為立方晶相,在2000℃左右轉變為六方晶相。隨著晶型的轉變Sm3+的基態發生了一定的變化,從而導致氧化釤的性能發生了變化。這些特殊的結構在磁學、電學以及光學方面會產生一些新穎的特點,因而也引起了人們極大的研究熱情。
目前所報道的制備Sm2O3的方法主要為低溫自蔓延燃燒法[薄麗麗,楊武,倪剛,何曉燕,呂維蓮.低溫自蔓延燃燒法制備納米Sm2O3,西北師范大學學報,2005,41(5):40-42];溶膠-凝膠法[鄧庚鳳.鐘淑梅.陳輝煌.周小華.溶膠-凝膠法制備超細氧化釤的工藝研究,稀土,2007,28(2):40-42]和微乳液法[耿壽花,朱文慶,常鵬梅,陳亞芍.反相微乳液介質中納米Sm2O3的制備,2008,24(9):1609-1614];還有固相燒結法[Yanglong?Hou,Zhichuan?Xu,Sheng?Peng,Chuanbing?Rong,J.Ping?Liu,Shouheng?Sun,A?Facile?Synthesis?of?SmCo5Magnets?from?Core/Shell?Co/Sm2O3Nanoparticles,Advanced?Materials?2007,19:3349-3352]。低溫自蔓延燃燒法和溶膠-凝膠法是在氧氣氣氛下高溫合成Sm2O3,粉體易團聚并且溶膠-凝膠的工藝周期長,對Sm2O3原料的利用率很小;并且固相燒結法在還原性氣氛條件下燒結,也會引起納米晶的團聚,顆粒異常長大。同時微乳液法所制備的前軀體也需經高溫熱處理才能獲得Sm2O3納米晶,這樣易引入雜質,且粉體易團聚。為了達到實用化的目的,必須開發生產成本低且方便可行的Sm2O3納米晶制備工藝。
發明內容
本發明的目的在于提供一種設備簡單,容易控制,且比微波水熱法以及普通水熱法溫度低,所需壓力較易獲得,可以控制生成特定的形貌,低成本的六方片狀結構Sm2O3半導體納米晶的制備方法。按本發明的制備方法制成的Sm2O3納米晶純度高,分散性好,晶型單一,晶粒生長可控。
為達到上述目的,本發明采用的技術方案是:
1)將分析純的SmCl3·6H2O加入異丙醇中攪拌制得Sm3+濃度為0.2~1.5mol/L的溶液A;
2)將溶液A在45~55℃加熱攪拌采用NaOH溶液調節溶液A的pH值為7~12,繼續攪拌形成前驅溶液,隨后向前驅溶液中加入CTAB,其加入量與產物理論產量的物質的量之比為n=0.5~2.5;再次確定前驅溶液的pH值為7~12;
3)將前驅溶液倒入水熱釜中,填充度控制在50~60%,然后密封水熱釜,將其放入電熱鼓風干燥箱中,控制水熱溫度為120~200℃,壓力為2~20MPa,反應6~60小時,反應結束后自然冷卻到室溫;
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