[發明專利]掩膜板及其制備方法無效
| 申請號: | 201210401411.2 | 申請日: | 2012-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN103777461A | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;梁艷馨;陳貴堂 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/38 | 分類號: | G03F1/38;G03F1/68 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜板 及其 制備 方法 | ||
1.一種掩膜板,其特征在于,包括襯底和沉積在所述襯底的一側的薄膜層;
所述襯底上設置有通孔,所述薄膜層與所述通孔對應的區域設置有掩膜圖案,所述薄膜層的材質為金屬或金屬氧化物。
2.根據權利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述襯底的材質為金屬或金屬氧化物。
3.根據權利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述襯底的材質為鎢鋼、鉻鋼、氧化鐵或氧化鉻。
4.根據權利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述襯底的材質和所述薄膜層的材質相同。
5.一種掩膜板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供襯底,并在所述襯底上形成通孔;
在所述通孔內填充金屬,接著在所述襯底的一側沉積金屬或金屬氧化物形成薄膜層;
在所述薄膜層與所述通孔對應的區域刻蝕出掩膜圖案,并去除填充的所述金屬,得到所述掩膜板。
6.根據權利要求4所述的掩膜板的制備方法,其特征在于,所述填充在所述通孔內的金屬為Mg、Al、Zn、Sn和Pb中的至少一種。
7.根據權利要求5所述的掩膜板的制備方法,其特征在于,還包括在所述通孔內填充金屬后,對填充了金屬的襯底進行拋光的操作。
8.根據權利要求5所述的掩膜板的制備方法,其特征在于,通過磁控濺射法、真空蒸鍍法或化學氣相沉積法在所述襯底的一側沉積金屬或金屬氧化物形成薄膜層。
9.根據權利要求5所述的掩膜板的制備方法,其特征在于,所述刻蝕出掩膜圖案的方法為X射線刻蝕法或紫外線刻蝕法。
10.根據權利要求5所述的掩膜板的制備方法,其特征在于,所述去除填充的金屬的方法為將刻蝕了掩膜圖案的襯底浸沒在酸性溶液中并加熱,所述酸性溶液不與所述薄膜層和所述襯底反應,且所述酸性溶液可以溶解所述通孔內的金屬。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





