[發(fā)明專利]用于較高能量密度和較薄電池的凹入接頭有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210401206.6 | 申請日: | 2012-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN103066239A | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 塔哈·沙伯爾·侯賽因·舒塔瓦拉;大衛(wèi)·杰勒德·里奇 | 申請(專利權(quán))人: | 捷訊研究有限公司 |
| 主分類號: | H01M4/02 | 分類號: | H01M4/02;H01M4/04 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 穆童 |
| 地址: | 加拿大安大*** | 國省代碼: | 加拿大;CA |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 高能量 密度 電池 接頭 | ||
1.一種用于電池的電極組件,所述電極組件包括:
活性材料層,在所述活性材料層的外表面上,在所述活性材料層中形成有凹部,所述凹部從所述活性材料層的側(cè)面向所述活性材料層的內(nèi)部延伸;
集流層,支撐在所述活性材料層的外表面上,并與所述活性材料層的外表面電接觸;以及
接頭元件,部分支撐在所述凹部中,并與所述活性材料層和所述集流層中的至少一個電接觸,所述接頭元件適于提供所述電極組件的電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極組件,其中,在所述凹部內(nèi),在所述活性材料層和所述接頭元件之間支撐所述集流層的至少一部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電極組件,其中,在所述凹部內(nèi),在所述活性材料層和所述集流層之間支撐所述接頭元件的至少一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的電極組件,其中,在所述活性材料層中,與所述活性材料層的端面間隔開地形成所述凹部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電極組件,其中,所述凹部總體上與所述端面平行地從所述側(cè)面延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的電極組件,其中,所述凹部包括:底部;端壁,總體上與所述側(cè)面相對,并將所述底部與活性材料的外表面相接;以及間隔開的側(cè)壁,在所述端壁和所述側(cè)面之間延伸,并將所述底部與活性材料的外表面相接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電極組件,其中,所述間隔開的側(cè)壁朝向所述底部向內(nèi)傾斜。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的電極組件,其中,所述端壁朝向所述底部向內(nèi)傾斜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的電極組件,其中,所述集流層包括在所述外表面上的金屬沉積。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的電極組件,其中,所述活性材料層包括電解質(zhì)聚合物。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電極組件,其中,所述電解質(zhì)聚合物在室溫下是機(jī)械自穩(wěn)定的。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的電極組件,其中,所述接頭元件具有第一厚度,所述集流層具有小于所述第一厚度的第二厚度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述的電極組件,其中,所述接頭元件與所述集流層接合,以在其間提供歐姆接觸。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的電極組件,其中,所述接頭元件的頂面與所述活性材料層的外表面實質(zhì)上是齊平的。
15.一種生產(chǎn)用于電池的電極組件的方法,其中,所述方法包括:
在背襯襯底上設(shè)置活性材料層;
在所述活性材料層的外表面處,在所述活性材料層中形成凹部,所述凹部從所述活性材料層的側(cè)面向所述活性材料層的內(nèi)部延伸;
從所述背襯襯底去除所述活性材料層;
在所述活性材料層的外表面上設(shè)置集流層;以及
將接頭元件部分固定在所述凹部內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,還包括:在從所述背襯襯底去除所述活性材料層之前,在所述背襯襯底上穩(wěn)定所述活性材料層。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的方法,其中,在固定所述接頭元件之前,在所述活性材料層的外表面上設(shè)置所述集流層,以及將所述接頭元件固定至所述集流層。
18.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的方法,其中,在固定所述接頭元件之后,在所述活性材料層的外表面上設(shè)置所述集流層,以及在所述凹部內(nèi),在所述接頭元件上設(shè)置所述集流層。
19.根據(jù)權(quán)利要求15至18中任一項所述的方法,其中,將所述集流層作為金屬沉積設(shè)置在所述活性材料層的外表面上。
20.根據(jù)權(quán)利要求15至19中任一項所述的方法,還包括:將所述接頭元件與所述集流層接合,以在其間提供歐姆接觸。
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