[發(fā)明專利]CIGS太陽能電池結(jié)構(gòu)及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210401135.X
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN103378215A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊弦升;李文欽;朱立寰
• 申請（專利權(quán)）人: 臺積太陽能股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/032
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種制造薄膜光伏器件的方法，包括以下步驟：

(a)在基板上形成背接觸層；

(b)在所述背接觸層上形成富Se層；

(c)通過沉積銅、鎵和銦在所述富Se層上形成前體層，得到第一中間結(jié)構(gòu)；

(d)對所述第一中間結(jié)構(gòu)退火，從而沿著所述背接觸層和所述前體層之間的界面形成Cu/Se、Ga/Se或CIGS化合物，并得到第二中間結(jié)構(gòu)；以及

(e)硒化所述第二中間結(jié)構(gòu)，從而在所述背接觸層上將所述前體層轉(zhuǎn)化成CIGS吸收層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述步驟(e)進一步包括在硒化步驟的同時硫化所述第二中間結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述富Se層包括沉積Se膜、MoSe化合物膜、InSe化合物膜、CuSe化合物膜或GaSe化合物膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在300℃和600℃之間的溫度下進行所述退火。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述CIGS吸收體層沿著其與所述背接觸層的界面具有30至60原子％的Se濃度。

6.一種制造薄膜光伏器件的方法，包括以下步驟：

(a)在基板上形成背接觸層；

(b)在所述背接觸層上形成富Se層；

(c)通過沉積銅、鎵和銦在所述富Se層上形成前體層，得到第一中間結(jié)構(gòu)；

(d)硒化所述第一中間結(jié)構(gòu)，從而沿著所述背接觸層和所述前體層之間的界面形成Cu/Se、Ga/Se或CIGS化合物，并得到第二中間結(jié)構(gòu)；以及

(e)硒化所述第二中間結(jié)構(gòu)，從而在所述背接觸層上將所述前體層轉(zhuǎn)化成CIGS吸收層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述步驟(e)進一步包括在硒化步驟的同時硫化所述第二中間結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，形成所述富Se層包括沉積Se膜、MoSe化合物膜、InSe化合物膜、CuSe化合物膜或GaSe化合物膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述CIGS吸收層沿著其與所述背接觸層的界面具有30至60原子％的Se濃度。

10.一種CIGS太陽能電池結(jié)構(gòu)，包括：

基板；

背接觸層，設(shè)置在所述基板上；

CIGS吸收層，設(shè)置在所述背接觸層上，其中，所述CIGS吸收層沿著其與所述背接觸層的界面具有30至60原子％的Se濃度。