[發明專利]調壓電路無效
| 申請號: | 201210401116.7 | 申請日: | 2012-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN103780089A | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發明(設計)人: | 焦東杰 | 申請(專利權)人: | 鄭州單點科技軟件有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/156 | 分類號: | H02M3/156 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 450016 河南省鄭州市經*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 調壓 電路 | ||
技術領域
本發明涉及一種調壓電路。
背景技術
調壓是電路中經常用到的電路模塊,用于調整電路功能電壓。現有電路中一般采用晶閘管作為調壓的件,但是晶閘管的面積較大,發熱較大,消耗的功率也較大,根本不適用于集成電路,一般是在芯片外接調壓電路。
發明內容
本發明的發明目的在于:針對上述存在的問題,提供一種MOS結構的調壓電路。
本發明采用的技術方案是這樣的:本發明的一種調壓電路,該電路包括四只電阻、一只可調電阻、一只NMOS晶體管、一只差分放大器、兩只穩壓管和兩只電容。
差分放大器的負極輸入端通過可調電阻接地并通過第一電阻連接至電壓源,正極輸入端通過第二電阻連接至電壓源、通過第二電容接地、連接至第二穩壓管的陰極,正極電源輸入端通過第三電阻連接至電壓源、通過第一電容接地、連接至第一穩壓管的陰極,負極電源輸入端接地,輸出端通過第四電阻連接至NMOS晶體管的柵極;所述第一穩壓管的陽極、第二穩壓管的陽極和NMOS晶體管的源極均接地;所述NMOS晶體管的漏極作為該調壓電路的輸出端的負極。
綜上所述,由于采用了上述技術方案,本發明的有益效果是:該電路體較小、功耗小、速度高、適用于集成,且電路結構簡單。
附圖說明
圖1是本發明調壓電路的電路原理圖。
具體實施方式
下面結合附圖,對本發明作詳細的說明。
為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖及實施例,對本發明進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明,并不用于限定本發明。
如圖1所示,是本發明調壓電路的電路原理圖。
本發明的一種調壓電路,該電路包括四只電阻R1~R4、一只可調電阻RW1、一只NMOS晶體管Q1、一只差分放大器IC1、兩只穩壓管W1和W2以及兩只電容C1和C2。
下面結合圖1對本發明上述各電子元器件間的連接關系做詳細說明:?差分放大器IC1的負極輸入端通過可調電阻RW1接地GND并通過第一電阻R1連接至電壓源VDD,正極輸入端通過第二電阻R2連接至電壓源VDD、通過第二電容R2接地GND、連接至第二穩壓管W2的陰極,正極電源輸入端通過第三電阻R3連接至電壓源VDD、通過第一電容C1接地GND、連接至第一穩壓管W1的陰極,負極電源輸入端接地GND,輸出端通過第四電阻R4連接至NMOS晶體管Q1的柵極;所述第一穩壓管W1的陽極、第二穩壓管W2的陽極和NMOS晶體管Q1的源極均接地GND;所述NMOS晶體管Q1的漏極作為該調壓電路的輸出端Vout的負極。以上所述僅為本發明的較佳實施例而已,并不用以限制本發明,凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等,均應包含在本發明的保護范圍之內。
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