[發明專利]芯片電阻器

無效

• 申請號: 201210400887.4
• 申請日: 2012-09-12
• 公開（公告）號: CN103021599A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 赤羽泰;千原臣佑;鹿角秀次
• 申請（專利權）人: 興亞株式會社
• 主分類號: H01C7/00
• 分類號: H01C7/00;H01C1/148
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 張敬強;嚴星鐵

技術領域

本發明涉及一種芯片電阻器，具體地，涉及在安裝時通過焊料接合的、設置在陶瓷基板背面上的背面電極的改進。

背景技術

圖6是模式地示出現有的一般芯片電阻器的剖視圖。在該圖中示出的芯片電阻器21包括長方體形狀的陶瓷基板22，由燒制銀等構成且設置在陶瓷基板22的圖示的上表面的長度方向兩端部上的一對表面電極23，由氧化釕等構成且跨在一對表面電極23之間設置的電阻體24，覆蓋該電阻體24的絕緣性保護層25、由燒制銀等構成且設置在陶瓷基板22的圖示的下表面的長度方向兩端部上的一對背面電極26、以及設置在陶瓷基板22的長度方向兩端面上且橋接表面電極23和背面電極26的一對端面電極27；在コ字狀連續的表面電極23、端面電極27和背面電極26上沉積鍍層28而作為襯底電極層。

在相關的芯片電阻器21中，通過將大尺寸基板沿著縱橫分割槽分割成多個而獲得陶瓷基板22，并且將該大尺寸基板整體地形成多個表面電極23和電阻體24、背面電極26、保護層25等。此外，芯片電阻器21的電阻值的調整通過在電阻體24上形成未圖示的修整槽來進行。保護層25一般是兩層結構，即層疊有在修整電阻體24的電阻值調整之前形成的底涂層和在電阻值調整之后形成的頂涂層。此外，端面電極27形成在將形成多個保護層25的大尺寸基板進行一次分割而構成的長方塊狀基板的分割面上，并且在形成端面電極27之后，構成為將長方塊狀基板二次分割為單片(芯片單體)而在各芯片單體上沉積鍍層28。該鍍層28構成為包含粘合在襯底電極層上的最內層鎳(Ni)鍍層，和在外表面露出的最外層焊料(Sn/Pb)鍍層或錫(Sn)鍍層的兩層以上的層疊結構。

另外，這種芯片電阻器21通過將背面電極26搭載并焊接在設置在電路基板上的焊盤上而進行表面安裝，而在安裝之后芯片電阻器21的熱環境反復變化(之后稱為熱震)時，該焊料接合部會由于熱應力而損壞，容易產生裂縫。此外，在焊料接合部上產生由熱震導致的裂縫時，由于焊料接合部是電氣且機械連接芯片電阻器21的背面電極26和電路基板的焊墊的區域，所以最壞的情況是導致導通不良。

因此，提出了一種芯片電阻器，與現有技術相比，能夠使背面電極構成為由燒制銀構成的內層和由導電性樹脂構成的外層的兩層結構，以緩和作用在焊料接合部上的熱應力(例如，參考專利文獻1)。在相關的現有芯片電阻器中，由于在電路基板的焊墊上與焊料接合部接觸的背面電極的外層由導電性樹脂構成，所以與背面電極僅由燒制銀構成的情況相比，能夠期待緩和作用在焊料接合部上的熱應力的效果。

專利文獻1：日本特開2008-84905號公報

但是，根據本發明人的細致檢查，發現即使如專利文獻1中記載的芯片電阻器那樣，背面電極的外層由導電性樹脂形成，當該外層和由燒制銀構成的內層的邊界部分與焊料接合部接觸時，熱應力在該邊界部分集中在焊料接合部上，從而也容易產生裂縫。進一步地，在由導電性樹脂形成背面電極的外層的情況下，由于焊接時的加熱而發生從樹脂成分脫氣，由于該脫氣而在接合部上形成空隙，所以不得已會發生焊接裂開或粘固性能降低。此外，不好的情況是，如果由導電性樹脂構成的外層完全覆蓋由燒制銀制成的內層，則雖然兩者的邊界部分不與焊料接合部接觸，但是這時來自樹脂成分的脫氣的產生量增加，會產生焊接裂開或粘固性能減弱。因此，即使采用由導電性樹脂形成背面電極外層的現有技術，防止由熱震導致的焊料接合部的損傷的效果也不夠，而難以大幅延長芯片電阻器的使用壽命，并且還存在產生焊接裂開或粘固性能減弱的缺點。

發明內容

鑒于現有技術的這些情況，研發了本發明，并且本發明的目的是提供一種焊料接合部由于熱震而損傷的可能性低的芯片電阻器。

為了實現上述目的，本發明的芯片電阻器包括設置在陶瓷基板的表面的長度方向兩端部上的一對表面電極，以與這一對表面電極連接的方式設置在所述陶瓷基板的表面上的電阻體，設置在所述陶瓷基板的背面的長度方向兩端部上的一對背面電極，覆蓋所述電阻體的絕緣性保護層，和設置在所述陶瓷基板的兩端面上并橋接所述表面電極和所述背面電極的一對端面電極；并且該芯片電阻器通過將所述背面電極搭載并焊接在設置在電路基板上的焊墊上而進行表面安裝，其中，所述背面電極由粘固在所述陶瓷基板背面上的第一電極層，和在該第一電極層的至少邊緣部以外的一部分區域上層疊的第二電極層構成，該第一電極層和第二電極層中的任何一個都由燒制銀形成。