[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210400802.2 | 申請(qǐng)日： | 2012-10-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103066176A | 公開（公告）日： | 2013-04-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 金范埈;金晟泰;金榮善;尹皙胡;金起成;李浩喆 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/14 | 分類號(hào)： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 韓明星 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化物 半導(dǎo)體 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括：
n型氮化物半導(dǎo)體層；
活性層，設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層上；
p型氮化物半導(dǎo)體層，設(shè)置在活性層上；以及
多個(gè)電流擴(kuò)散層，設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層的內(nèi)部和表面中的至少一處，并且包含帶隙能比形成n型氮化物半導(dǎo)體層的材料的帶隙能大的材料，以在與形成n型氮化物半導(dǎo)體層的材料的界面處形成二維電子氣層。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中：
n型氮化物半導(dǎo)體層包含n-GaN，
所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層由AlxGa1-xN形成，以與n-GaN形成界面，其中，0＜x≤1。
3.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中：
n型氮化物半導(dǎo)體層包含n-GaN，
所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層由AlxInyGa1-x-yN形成，以與n-GaN形成界面，其中，0＜x≤1，0≤y＜1。
4.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層的底表面上。
5.如權(quán)利要求4所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括：
緩沖層，設(shè)置在所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層的底表面上的電流擴(kuò)散層的底表面上。
6.如權(quán)利要求5所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，緩沖層包括未摻雜氮化物半導(dǎo)體層。
7.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，n型氮化物半導(dǎo)體層包括：
第一層；以及
第二層，設(shè)置在第一層上，并且具有濃度比第一層的n型雜質(zhì)的濃度低的n型雜質(zhì)。
8.如權(quán)利要求7所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層設(shè)置在第一層和第二層之間。
9.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層具有20nm或小于20nm的厚度。
10.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層摻雜有n型雜質(zhì)。
11.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括：
反射金屬層，設(shè)置在p型氮化物半導(dǎo)體層上。
12.一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括：
n型氮化物半導(dǎo)體層；
活性層，設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層上；
p型氮化物半導(dǎo)體層，設(shè)置在活性層上；以及
電流擴(kuò)散層，設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層的底表面上，并且包含帶隙能比形成n型氮化物半導(dǎo)體層的材料的帶隙能大的材料，以在與形成n型氮化物半導(dǎo)體層的材料的界面處形成二維電子氣層。
13.如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，電流擴(kuò)散層具有20nm或小于20nm的厚度。
14.如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括：
緩沖層，設(shè)置在電流擴(kuò)散層的底表面上。
15.如權(quán)利要求14所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，緩沖層包括未摻雜氮化物半導(dǎo)體層。
16.如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中：
n型氮化物半導(dǎo)體層包含n-GaN，
電流擴(kuò)散層由AlxGa1-xN形成，以與n-GaN形成界面，其中，0＜x≤1。
17.如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中：
n型氮化物半導(dǎo)體層包含n-GaN，
電流擴(kuò)散層由AlxInyGa1-x-yN形成，以與n-GaN形成界面，其中，0＜x≤1，0≤y＜1。
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