[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210400793.7
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN103779428A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林靖璋
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/792
• 分類號: H01L29/792;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于其包括：

一基材；

一介電層，設(shè)置于該基材之上，該介電層具有一內(nèi)縮區(qū)；

一導(dǎo)電層，設(shè)置于該介電層上，該導(dǎo)電層具有一側(cè)壁；以及

一電荷捕捉薄膜，圍繞該介電層及該導(dǎo)電層的該側(cè)壁。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中該電荷捕捉薄膜包括：

一第一介電層，共形地提供于該導(dǎo)電層的該側(cè)壁及該內(nèi)縮區(qū)的一表面；

一數(shù)據(jù)儲存材料，設(shè)置于該第一介電層上并且提供于填滿該內(nèi)縮區(qū)以定義一填充區(qū)；以及

一第二介電層，設(shè)置于該數(shù)據(jù)儲存材料之上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中該內(nèi)縮區(qū)的一截面為梯形形狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于其更包括一通道區(qū)設(shè)置在該基材中，該通道區(qū)從一源極側(cè)至一漏極側(cè)的長度大于該導(dǎo)電層的長度。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中該第一介電層為一氧化物-氮化物-氧化物薄膜。

6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于其包括以下步驟：

提供一圖案化單元，該圖案化單元包括：一介電層，一導(dǎo)電層，以及一硬遮罩層；

進行刻蝕以形成一內(nèi)縮區(qū)于該介電層內(nèi)；以及

形成一電荷捕捉薄膜圍繞于該圖案化單元的一側(cè)壁及該介電層的一外表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于其中形成該電荷捕捉薄膜的方法包括：

形成一第一介電層，共形地沿著該側(cè)壁及該內(nèi)縮區(qū)的一表面；

沉積一數(shù)據(jù)儲存材料于該第一介電層之上；

填充該內(nèi)縮區(qū)以定義一填充區(qū)；以及

形成一第二介電層于該數(shù)據(jù)儲存材料之上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于其中該第一介電層為一氧化物-氮化物-氧化物薄膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于其中該數(shù)據(jù)儲存材料為一氮化物層，并且形成該第二介電層的步驟包括藉由熱氧化一部分的該氮化物層以增長一氧化物層于該氮化物層上。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于其中該內(nèi)縮區(qū)的一截面為梯形形狀。