[發明專利]全固態薄膜電致變色玻璃及其制備方法

有效

• 申請號: 201210400683.0
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN103771724A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 王小峰;呂宜超;唐晶;崔平生;曾小綿;趙鵬
• 申請（專利權）人: 中國南玻集團股份有限公司
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34;C03C17/36;B32B17/06
• 代理公司: 深圳冠華專利事務所(普通合伙) 44267
• 代理人: 夏聲平

1.一種全固態薄膜電致變色玻璃，其包括基片，其特征在于：該全固態薄膜電致變色玻璃還包含通過氣相沉積法依次形成于該基片上的離子阻擋層、第一透明導電層、無機變色層、無機離子導體層、無機離子儲存層、第二透明導電層及保護層。

2.如權利要求1所述的全固態薄膜電致變色玻璃，其特征在于：該基片為超白玻璃，其厚度為3～10毫米。

3.如權利要求2所述的全固態薄膜電致變色玻璃，其特征在于：該基片的厚度為6毫米。

4.如權利要求1所述的全固態薄膜電致變色玻璃，其特征在于：該離子阻擋層的厚度為15～30納米，該第一透明導電層的厚度為100～600納米、該無機變色層的厚度為50～300納米、該無機離子導體層的厚度為200～1200納米、該無機離子儲存層的厚度為0～700納米、該第二透明導電層的厚度為100～600納米，該保護層的厚度為30～50納米。

5.如權利要求4所述的全固態薄膜電致變色玻璃，其特征在于：該離子阻擋層的厚度為17～23納米，該第一透明導電層的厚度為200～300納米、該無機變色層的厚度為150～250納米、該無機離子導體層的厚度為500～1000納米、該無機離子儲存層的厚度為200～550納米、該第二透明導電層的厚度為100～300納米，該保護層的厚度為34～43納米。

6.如權利要求1所述的全固態薄膜電致變色玻璃，其特征在于：該離子阻擋層包含硅的氧化物、鈦的氧化物或硅的氮化物；該第一透明導電層包含氧化銦錫、摻鋁氧化鋅、摻氟氧化錫或鋰銀合金；該無機變色層包含氧化鎢、氧化鉬、氧化鈮、氧化鈦、氧化鎳、氧化銥、氧化釩、氧化銠或氧化鈷；該無機離子導體層包含磷酸鋰、氮化磷酸鋰、硅酸鋰、鋁酸鋰、硅酸鋁鋰、鉻酸鋰、硫酸硼鋰、釩酸鋰、鉭酸鋰、鋰的氮化物、鉻的氧化物或鉭的氧化物；該無機離子儲存層包含鋰、鈷酸鋰、磷酸鐵鋰、鈦酸鋰、鎳酸鋰、錳酸鋰、鉻酸鋰、碳酸鋰、釩酸鋰、釩酸鎳鋰、鎳的氧化物、釩的氧化物、鉬的氧化物或鈦的氧化物；該第二透明導電層包含氧化銦錫、摻鋁氧化鋅、摻氟氧化錫、鋰銀合金或低輻射復合層；該保護層包含硅的氮化物、硅的氧化物或鈦的氧化物。

7.一種全固態薄膜電致變色玻璃的制備方法，其包括以下步驟：

將基片放置于真空濺射區；以及

通過氣相沉積法依次在該基片上形成離子阻擋層、第一透明導電層、無機變色層、無機離子導體層、無機離子儲存層、第二透明導電層及保護層。

8.根據權利要求7所述的全固態薄膜電致變色玻璃的制備方法，其特征在于：該氣相沉積法為磁控濺射。

9.根據權利要求8所述的全固態薄膜電致變色玻璃的制備方法，其特征在于：該真空濺射區的本底真空度小于5.0×10-6毫巴。

10.根據權利要求8所述的全固態薄膜電致變色玻璃的制備方法，其特征在于：通過氣相沉積法依次在該基片上形成離子阻擋層、第一透明導電層、無機變色層、無機離子導體層、無機離子儲存層、第二透明導電層及保護層的過程為：

用旋轉陰極直流磁控反應濺射沉積形成該阻擋層；

用平面陰極或旋轉陰極、直流或直流加脈沖磁控濺射沉積形成該第一透明導電層；

用平面陰極或雙旋轉陰極、直流加脈沖磁控濺射或射頻反應磁控濺射沉積形成該無機變色層；

用平面陰極或雙旋轉陰極、射頻反應磁控濺射沉積形成該離子導體層；

用平面陰極或雙旋轉陰極、射頻反應磁控濺射沉積形成該離子儲存層；

用平面陰極或旋轉陰極、直流或直流加脈沖磁控濺射沉積形成該透明導電層；以及

用旋轉陰極直流反應磁控濺射形成該保護層。