[發(fā)明專利]碳納米管膜的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210399475.3 | 申請日： | 2012-10-19 |
| 公開（公告）號： | CN103771387A | 公開（公告）日： | 2014-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 魏洋;魏浩明;姜開利;范守善 | 申請（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | C01B31/02 | 分類號： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀區(qū)清*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米 制備 方法 | ||
1.一種碳納米管膜的制備方法，包括以下步驟：
提供一基底，該基底的表面生長有一碳納米管陣列；
將所述碳納米管陣列從所述基底上整體剝離，并將剝離后的碳納米管陣列懸空設(shè)置；
在一真空環(huán)境或惰性環(huán)境中給所述懸空的碳納米管陣列通電加熱到200℃至2400℃；以及
維持通電狀態(tài)下，采用一拉伸工具從所述碳納米管陣列中選定多個碳納米管，拉取獲得一碳納米管膜。
2.如權(quán)利要求1所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述碳納米管陣列包括多個碳納米管，該多個碳納米管大致相互平行并垂直于基底表面，該多個碳納米管之間通過范德華力相互連接。
3.如權(quán)利要求1所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述碳納米管膜中遠(yuǎn)離碳納米管陣列的碳納米管的溫度逐漸冷卻，使部分碳納米管之間相互熔合。
4.如權(quán)利要求1所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述碳納米管陣列在剝離前后及剝離過程中始終維持原來的形狀。
5.如權(quán)利要求1所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，進(jìn)一步通過兩個間隔設(shè)置的電極給所述懸空設(shè)置的碳納米管陣列通電。
6.如權(quán)利要求5所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述電極的材料為金屬或?qū)щ娋酆衔铩?/p>
7.如權(quán)利要求1所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述惰性環(huán)境中填充氮?dú)狻睔饣蚨栊詺怏w。
8.如權(quán)利要求1所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述加熱后碳納米管陣列的溫度為1000℃至2400℃。
9.如權(quán)利要求1所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述拉取碳納米管膜的過程中，所述選定的多個碳納米管沿遠(yuǎn)離碳納米管陣列的方向運(yùn)動，由于范德華力作用，所述多個碳納米管首尾相連地從碳納米管陣列中被連續(xù)地拉出，形成連續(xù)的碳納米管膜。
10.一種碳納米管膜的制備方法，包括以下步驟：
提供一基底，該基底的表面生長有一碳納米管陣列；
給所述碳納米管陣列通電，并使該碳納米管陣列處于真空環(huán)境或惰性環(huán)境中；以及
維持通電狀態(tài)下，采用一拉伸工具從所述碳納米管陣列中選定多個碳納米管拉取，獲得一碳納米管膜。
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