[發明專利]電介質組合物以及包括該組合物的陶瓷電子元件

有效

• 申請號: 201210399269.2
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN103102153A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 姜晟馨;崔斗源;宋旻星;權祥勛;金昶勛;李炳華
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: C04B35/468
• 分類號: C04B35/468;H01G4/12
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 王鳳桐;周建秋

1.一種電介質組合物，該電介質組合物包括：

含有Ba_mTiO₃的基礎粉末，0.995≤m≤1.010；

以100摩爾的基礎粉末為基準，含有0.05-4.00摩爾的至少含有一種稀土元素的氧化物或碳酸鹽的第一副組分；

以100摩爾的基礎粉末為基準，含有0.05-0.70摩爾的至少含有一種過渡金屬的氧化物或碳酸鹽的第二副組分；

以100摩爾的基礎粉末為基準，含有0.20-2.00摩爾的Si氧化物的第三副組分；

以100摩爾的基礎粉末為基準，含有0.20-1.00摩爾的Al氧化物的第四副組分；以及

以第三副組分為基準，含有20-140%的至少含有Ba和Ca中的一種的氧化物的第五副組分。

2.根據權利要求1所述的電介質組合物，其中，所述電介質組合物具有的平均顆粒尺寸為0.75μm或更小。

3.根據權利要求1所述的電介質組合物，其中，以100摩爾的基礎粉末為基準，所述電介質組合物進一步包括0.01-2.50摩爾的Mg氧化物或碳酸鹽。

4.根據權利要求1所述的電介質組合物，其中，以100摩爾的基礎粉末為基準，所述電介質組合物進一步包括0.01-1.00摩爾的Zr氧化物。

5.根據權利要求1所述的電介質組合物，其中，所述第一副組分中的稀土元素選自由Y、Dy、Ho、Er和Gd組成的組中的至少一種。

6.根據權利要求1所述的電介質組合物，其中，所述第二副組分中的過渡金屬選自由Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、V、Cr、Cu和Zn組成的組中的至少一種。

7.一種陶瓷電子元件，該陶瓷電子元件包括：

陶瓷主體，該陶瓷主體具有多個層壓于其中的介電層；

內電極，該內電極配置在所述陶瓷主體的內部且包括基底金屬；以及

外電極，該外電極配置在所述陶瓷主體的外表面且電連接到所述內電極上，

其中，所述介電層包括電介質組合物，該電介質組合物包括：含有Ba_mTiO₃的基礎粉末，0.995≤m≤1.010；以100摩爾的基礎粉末為基準，含有0.05-4.00摩爾的至少含有一種稀土元素的氧化物或碳酸鹽的第一副組分；以100摩爾的基礎粉末為基準，含有0.05-0.70摩爾的至少含有一種過渡金屬的氧化物或碳酸鹽的第二副組分；以100摩爾的基礎粉末為基準，含有0.20-2.00摩爾的Si氧化物的第三副組分；以100摩爾的基礎粉末為基準，含有0.20-1.00摩爾的Al氧化物的第四副組分；以及以第三副組分為基準，含有20-140%的至少含有Ba和Ca中的一種的氧化物的第五副組分。

8.根據權利要求7所述的陶瓷電子元件，其中，所述電介質組合物具有的平均顆粒尺寸為0.75μm或更小。

9.根據權利要求7所述的陶瓷電子元件，其中，以100摩爾的基礎粉末為基準，所述電介質組合物進一步包括0.01-2.50摩爾的Mg氧化物或碳酸鹽。

10.根據權利要求7所述的陶瓷電子元件，其中，以100摩爾的基礎粉末為基準，所述電介質組合物進一步包括0.01-1.00摩爾的Zr氧化物。

11.根據權利要求7所述的陶瓷電子元件，其中，所述第一副組分中的稀土元素選自由Y、Dy、Ho、Er和Gd組成的組中的至少一種。

12.根據權利要求7所述的陶瓷電子元件，其中，所述第二副組分中的過渡金屬選自由Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、V、Cr、Cu和Zn組成的組中的至少一種。

13.根據權利要求7所述的陶瓷電子元件，其中，每個所述介電層具有的厚度在0.2-10μm之間。

14.根據權利要求7所述的陶瓷電子元件，其中，所述內電極包括Ni或Ni合金。

15.根據權利要求7所述的陶瓷電子元件，其中，所述內電極交替地與所述介電層層壓在一起。