[發明專利]高導磁率的微晶材料

無效

• 申請號: 201210398782.X
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN102875024A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 朱正才
• 申請（專利權）人: 張家港市清大星源微晶有限公司
• 主分類號: C03C10/00
• 分類號: C03C10/00
• 代理公司: 張家港市高松專利事務所(普通合伙) 32209
• 代理人: 孫高

技術領域

本發明涉及一種高導磁率的微晶材料。

背景技術

微晶材料又稱玻璃陶瓷。它是由某些特定配方組成的各種硅酸鹽原料，通過特定的溫度制度或(和)光照(稱光敏)處理受控微晶化而形成的具有特定優異性能的微晶相和殘余硅酸鹽相組成的多相固體材料。

目前，市場上有一種具有導磁率的微晶材料，該微晶材料包括鐵、鈮、銅、硅、硼五種元素，其中鐵元素所占的質量百分比為83.38％、鈮元素所占的質量百分比為5.66％、銅元素所占的質量百分比為1.29％、硅元素所占的質量百分比為7.7％、硼元素所占的質量百分比為1.97％，這種微晶材料的導磁率為100000亨利/米，最大導磁率為300000亨利/米。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種導磁率與最大導磁率都更大的高導磁率的微晶材料。

為解決上述問題，本發明采用的技術方案是：高導磁率的微晶材料，包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質量百分比為82.44±0.05％、鈮元素所占的質量百分比為7.51±0.03％、銅元素所占的質量百分比為1.67±0.02％、硅元素所占的質量百分比為8.38±0.1％。

本發明的有益效果是：上述高導磁率的微晶材料，其導磁率為150000亨利/米，最大導磁率為420000亨利/米，其導磁率與最大導磁率較之前都得到了增加。

具體實施方式

下面通過具體實施例對本發明高導磁率的微晶材料進一步描述。

實施例一：

高導磁率的微晶材料，包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質量百分比為82.49％、鈮元素所占的質量百分比為7.49％、銅元素所占的質量百分比為1.66％、硅元素所占的質量百分比為8.36％。

實施例二：

高導磁率的微晶材料，包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質量百分比為82.39％、鈮元素所占的質量百分比為7.53％、銅元素所占的質量百分比為1.69％、硅元素所占的質量百分比為8.39％。

實施例三：

高導磁率的微晶材料，包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質量百分比為82.47％、鈮元素所占的質量百分比為7.51％、銅元素所占的質量百分比為1.65％、硅元素所占的質量百分比為8.37％。