[發明專利]一種半導體器件的測試結構及測試方法

有效

• 申請號: 201210398728.5
• 申請日: 2012-10-18
• 公開（公告）號: CN103779328A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 馮軍宏;甘正浩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的測試結構，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底包含有源區；

測試結構區，位于所述半導體襯底上，所述測試結構區包括至少兩個測試件，其中至少一第一測試件呈梳狀結構；至少一第二測試件呈梳狀結構或者蛇形彎曲結構，并且所述兩個測試件相對交錯設置，并與所述有源區相連接；

虛擬金屬區，位于所述測試結構區的周圍，用于聚集濕度。

2.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構區包含兩梳狀結構的測試件，每個測試件具有多個導電梳齒，所述導電梳齒通過通孔與所述有源區連接。

3.根據權利要求2所述的測試結構，其特征在于，所述兩個梳狀結構的測試件位于同一平面上，所述兩個測試件的導電梳齒相互交錯，形成梳狀對梳狀的測試組件。

4.根據權利要求3所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構區包括至少兩組所述測試件，所述兩組所述測試件為分別位于上下兩個平面上的上測試組件和下測試組件，所述上測試組件與所述下測試組件通過通孔相連接，且所述上測試組件中的測試件與所述下測試組件中相應的測試件左右相錯設置。

5.根據權利要求4所述的測試結構，其特征在于，所述上測試組件中第一測試件與所述下測試組件中第一測試件水平方向上錯開一個梳齒，所述上測試組件中第二測試件與所述下測試組件中第二測試件水平方向上錯開一個梳齒。

6.根據權利要求4所述的測試結構，其特征在于，所述上測試組件中第一測試件中的梳齒與所述下測試組件中第二測試件中的梳齒相對設置且上下重疊，所述上測試組件中第二測試件中的梳齒與所述下測試組件中第一測試件中的梳齒相對設置且上下重疊。

7.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構區包含位于同一平面的一個梳狀結構的測試件和一個蛇形彎曲結構的測試件，兩測試件相對設置，所述梳狀結構測試件具有多個導電梳齒，所述蛇形彎曲的測試件彎曲環繞所述導電梳齒，所述導電梳齒嵌于所述蛇形彎曲的測試件中。

8.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述兩測試件的一端分別設置有金屬端子，用于連接測試儀器進行檢測。

9.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構還包括位于所述測試結構區與虛擬金屬區之間的密封環，所述具有密封環的測試結構用于與不具備密封環的測試結構作對比，來檢測所述密封環的濕度保護功能。

10.根據權利要求9所述的測試結構，其特征在于，所述密封環與所述檢測件之間的距離為50-500um。

11.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述測試件周圍設有若干方形虛擬金屬塊。

12.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述虛擬金屬區的寬度為10-1000um。

13.一種基于權利要求1-12之一所述的測試結構的測試方法，其特征在于，分別電連接所述兩測試件，測試兩測試件之間的電容，以此確定所述器件上是否存在因腐蝕產生的空隙，來衡量制備工藝中存在濕度腐蝕的可能性。

14.根據權利要求13所述方法，其特征在于，所述方法用于檢測由柵擊穿電壓、與時間相關電介質擊穿引起的空隙，以及兩測試件之間存在的空隙。