[發(fā)明專利]一種用于非晶硅沉積的控制系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210398114.7 | 申請日: | 2012-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN103774121A | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳五奎;雷曉全;任陳平;王斌 | 申請(專利權(quán))人: | 陜西拓日新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52;C23C16/24 |
| 代理公司: | 北京漢昊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 孟海娟 |
| 地址: | 715200 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 非晶硅 沉積 控制系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及自動控制領(lǐng)域,具體涉及一種用于非晶硅沉積的控制系統(tǒng)。
背景技術(shù)
當(dāng)前,我們國家在非晶硅產(chǎn)業(yè)化的過程中,主要模式是外購國外的設(shè)備,國外設(shè)備多結(jié)構(gòu)復(fù)雜并且由國外技術(shù)人員調(diào)試,設(shè)備工藝參數(shù)一經(jīng)確定很難以改動,從設(shè)備研發(fā)和工藝調(diào)整均受制于人,產(chǎn)品更新?lián)Q代緩慢,且受行業(yè)危機影響,非晶硅的研發(fā)也停滯不前,不利于行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和非晶硅產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級與產(chǎn)品換代。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題,本發(fā)明提供了一種用于非晶硅沉積的控制系統(tǒng)。
本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種用于非晶硅沉積的控制系統(tǒng),包括處理器,以及分別與處理器連接的真空傳感器、氬氣閥、氮氣閥、起輝電源和用于抽真空的泵。
上述的一種用于非晶硅沉積的控制系統(tǒng),所述處理器和氬氣閥之間還設(shè)置有質(zhì)量流程控制器,所述處理器和氮氣閥之間還設(shè)置有質(zhì)量流程控制器。
上述的一種用于非晶硅沉積的控制系統(tǒng),所述的泵是羅茨泵。
上述的一種用于非晶硅沉積的控制系統(tǒng),所述的泵包括相互獨立的機械泵和羅茨泵。
上述的一種用于非晶硅沉積的控制系統(tǒng),所述的起輝電源是AE電源。
上述的一種用于非晶硅沉積的控制系統(tǒng),所述的處理器是PLC。
本發(fā)明的有益效果是:使用真空傳感器測量真空的壓力變化數(shù)據(jù),將數(shù)據(jù)發(fā)送至PLC進行數(shù)據(jù)處理,進一步調(diào)節(jié)自動閥門開度,配合控制閥來自動控制室內(nèi)壓力。質(zhì)量流量控制器,測量氣體的流量變化數(shù)據(jù)發(fā)送PLC進行氣體流量數(shù)據(jù)處理。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單,參數(shù)修改方便快捷,能滿足工藝對流量的精確控制要求。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意框圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的說明。
如圖1所示的本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意框圖,一種用于非晶硅沉積的控制系統(tǒng),包括處理器,以及分別與處理器連接的真空傳感器、氬氣閥、氮氣閥、起輝電源和用于抽真空的泵,所述的處理器優(yōu)選PLC,所述的起輝電源優(yōu)選AE電源。
上述的一種用于非晶硅沉積的控制系統(tǒng),所述處理器和氬氣閥之間還設(shè)置有質(zhì)量流程控制器,所述處理器和氮氣閥之間還設(shè)置有質(zhì)量流程控制器。
上述的一種用于非晶硅沉積的控制系統(tǒng),所述的泵是羅茨泵。
上述的一種用于非晶硅沉積的控制系統(tǒng),所述的泵包括相互獨立的機械泵和羅茨泵,所述的機械泵用于對對非晶硅等離子體沉積設(shè)備進行初抽真空,當(dāng)真空度到達1.0*10后啟動羅茨泵進行二級抽空。當(dāng)真空度達到1.0*10-2時,PLC通過控制氬氣閥向設(shè)備內(nèi)通入300sccm氬氣,制造氬氣沉積環(huán)境,氬氣通入后,設(shè)備室內(nèi)壓力會升高,當(dāng)壓力升高到5.0*10-1時,PLC向AE電源發(fā)出開啟信號,在氬氣環(huán)境下進行起輝30s,起輝完成后關(guān)閉電源,PLC通過控制氮氣閥向設(shè)備內(nèi)通入355sccm氮氣對設(shè)備進行降溫沖壓,以便于打開設(shè)備蓋板,完成沉積。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實現(xiàn)方式,應(yīng)當(dāng)指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





