[發明專利]全息太陽能光伏電池及其制造方法有效
| 申請號: | 201210398009.3 | 申請日: | 2012-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN103035755A | 公開(公告)日: | 2013-04-10 |
| 發明(設計)人: | 詹興華 | 申請(專利權)人: | 詹興華 |
| 主分類號: | H01L31/0236 | 分類號: | H01L31/0236;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
| 地址: | 239000 安徽省滁*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 全息 太陽能 電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種全息太陽能光伏電池,包括至少一個接受陽光入射的透光層,一個透明電極層,一個有源層;背電極;其特征在于:所述的透光層上表面或/和下表面具有一維或二維微納米全息結構。
2.根據權利要求1所述的全息太陽能光伏電池,其特征在于:所述的透光層具有下列結構之一:
(1)、透光層上表面具有一維或二維微納米全息結構,形狀包括:片層結構、三方柱體、四方柱體、五方柱體、六方柱體、圓柱體、三面金字塔柱體,?四面金字塔柱體,半圓球體、半橢球體、規則拋物線曲面柱體;
(2)、透光層下表面具有二維微納米全息結構,形狀包括:半圓球體、半橢球體,規則拋物線曲面柱體;
(3)、透光層上表面具有一維或二維微納米全息結構,形狀包括:片層結構、三方柱體、四方柱體、五方柱體、六方柱體、圓柱體、三面金字塔柱體,?四面金字塔柱體,半圓球體、半橢球體、規則拋物線曲面柱體;透光層下表面具有二維微納米全息結構,形狀包括:半圓球體、半橢球體,規則拋物線曲面柱體。
3.根據權利要求1或2所述的全息太陽能光伏電池,其特征在于:所述的背電極為單層金屬層;或者由高分子聚合物層及覆蓋在其外表面的金屬層構成,其高分子聚合物層表面具有一維或二維微納米全息結構。
4.根據權利要求3所述的全息太陽能光伏電池,其特征在于:所述的背電極的一維或二維微納米全息結構,形狀包括:片層結構、三方柱體、四方柱體、五方柱體、六方柱體、圓柱體、三面金字塔柱體,?四面金字塔柱體,半圓球體、半橢球體、規則拋物線曲面柱體。
5.根據權利要求1或2所述的全息太陽能光伏電池,其特征在于:所述的透光層上表面微納米全息結構底座直徑尺寸從50μm到1mm,高50μm到1mm,縱橫比大于或等于1:1,小于或等于5:1;所述的透光層下表面微納米全息結構的底座直徑從100nmm到100um,高100nm到100um,縱橫比大于或等于1:1,小于或等于5:1。
6.根據權利要求1所述的全息光伏電池,其特征在于:所述的透光層為透光的柔性高分子聚合物薄膜或厚度大于600μm的高分子?聚合物片層;所述的透光層的高分子聚合物材料為聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate?(PMMA)),聚氨酯(poly?olefin?(PO)),?八氟環丁烷(perfluorocyclobutane?(PFBC))?,?全氟聚(芳基醚)(perfluorocyclobutane?poly?(arylether)s),?聚乙烯(poly?ethylene?(PE)),?聚對苯二甲酸類塑料(poly?ethylene?terephthalate?(PET)),?乙烯-四氟乙烯共聚物(ethylene-tetra-fluoro-ethylene??(ETFE)),? 環烯烴共聚物(cyclic?olefin?copolymer?(COC)),聚酰亞胺(Polyimide?(Kapton));
所述的透明電極層具有良好的導電性能和較高的透光率,透明電極層的材料為摻錫氧化銦(indium?tin?oxide?(ITO)),?鎵銦錫氧化物(gallium?indium?tin?oxide?(GITO)),?氧化鋅銦錫(zinc?indium?tin?oxide?(ZITO)),?石墨烯(grapheme),?石墨烯氧化物(grapheme?oxide),?碳納米管(carbon?nanotube),?石墨(graphite),?薄銀層(?thin?silver?layer),?薄金層(thin?gold?layer);
所述的有源層結構包括至少一個PIN結,有源層的構成材料為非晶硅,微晶硅,混合非晶和微晶硅,多晶硅,碲化鎘(CdTe)或銅銦硒化物(CIGS)。
7.根據權利要求1或3所述的全息光伏電池,其特征在于:所述背電極厚度為100um到1.5mm,金屬層的厚度為10nm到400μm。
8.根據權利要求1或6所述的全息光伏電池,其特征在于:所述的透明電極層的厚度從10nm到1μm,有源層的厚度在10nm到300μm的范圍內;所述背電極厚度為100um到1.5mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





