[發明專利]一種制備具有金字塔結構的Fe薄膜的方法

有效

• 申請號: 201210397968.3
• 申請日: 2012-10-18
• 公開（公告）號: CN102864414A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 陳敏;陳弟虎;何振輝;莫康信
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: C23C14/14
• 分類號: C23C14/14;C23C14/35
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100
• 代理人: 張玲春

1.一種制備具有金字塔結構的Fe薄膜的方法，其特征在于：采用磁控濺射設備，在單晶硅基片上制備出具有金字塔形貌的Fe薄膜，具體包括以下步驟：

步驟（1）：靶材選取

選擇高純金屬鐵靶（純度99.99%）作為濺射靶材，將靶材放入磁控濺射室；

步驟（2）：襯底處理

選擇單面拋光單晶硅片為生長基片；對該單晶硅襯底依次用丙酮、酒精和去離子水超聲清洗，將處理后的單晶硅襯底放入磁控濺射室樣品臺；

步驟（3）：制備Fe薄膜

磁控濺射室的真空度小于等于3×10^-4Pa，工作氣體是氬氣，調節濺射氣壓、勵磁電流、濺射電流以及樣品臺的旋轉速率，經過一定的時間濺射制備Fe薄膜。

2.根據權利要求1所述的制備具有金字塔結構的Fe薄膜的方法，其特征在于：步驟（2）中，所述單晶硅襯底是（100），（111）晶面。

3.根據權利要求2所述的制備具有金字塔結構的Fe薄膜的方法，其特征在于：步驟（3）中，所述氬氣純度是99.999%，濺射氣壓是2.0Pa，氬氣流量是20sccm，勵磁電流是3.5A，濺射電壓是280V，濺射電流范圍是0.1A~0.5A。

4.根據權利要求3所述的制備具有金字塔結構的Fe薄膜的方法，其特征在于：步驟（3）中，靶材到襯底的距離是70mm，靶材斜對襯底濺射，靶材平面法線方向與襯底平面法線方向夾角是30°，濺射時樣品臺旋轉速率5轉/分，沉積時間為60~240min，Fe薄膜厚度小于2.0μm。

5.根據權利要求4所述的制備具有金字塔結構的Fe薄膜的方法，其特征在于：所述Te薄膜的厚度為983nm~1827nm。

6.權利要求1-5中任一項所述的制備具有金字塔結構的Fe薄膜的方法制備出的Fe薄膜。