[發(fā)明專利]金屬膜的干蝕刻方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210397846.4
• 申請日: 2012-10-18
• 公開（公告）號: CN103065960A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 西村榮一;曾根隆
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會(huì)華

1.一種金屬膜的干蝕刻方法，其隔著掩模層對含有鉑金的金屬膜進(jìn)行干蝕刻，其特征在于，

使由含有氫氣、二氧化碳?xì)怏w、甲烷氣體以及稀有氣體的混合氣體構(gòu)成的蝕刻氣體產(chǎn)生等離子體來對上述金屬膜進(jìn)行干蝕刻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬膜的干蝕刻方法，其特征在于，

上述金屬膜含有鉑金和錳。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬膜的干蝕刻方法，其特征在于，

上述稀有氣體為氬氣。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的金屬膜的干蝕刻方法，其特征在于，

上述掩模層由鉭構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的金屬膜的干蝕刻方法，其特征在于，

在壓力為6.65Pa～133Pa的氣氛下對上述金屬膜進(jìn)行干蝕刻。