[發明專利]芯片上的球形光學微腔及其制備方法

無效

• 申請號: 201210397823.3
• 申請日: 2012-10-18
• 公開（公告）號: CN102874741A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 姜校順;華士躍;肖敏
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種芯片上的球形光學微腔，其特征在于：所述球形光學微腔由錐形硅支撐。

2.如權利要求1所述的芯片上的球形光學微腔，其特征在于，所述球形光學微腔的直徑在10μm至150μm之間。

3.如權利要求1所述的芯片上的球形光學微腔，其特征在于，所述錐形硅的上端截面直徑小于等于5μm。

4.一種芯片上的球形光學微腔的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）利用熱氧化方法處理硅的表面，制得2至6μm厚度的二氧化硅層；

2）在步驟1）所得的二氧化硅層表面甩一層光刻膠，然后利用掩膜版依次進行曝光、顯影，所述掩膜版的形狀為圓形；；

3）將步驟2）得到的樣品放入HF溶液中進行腐蝕處理，制得二氧化硅圓盤；

4）將步驟3）得到的二氧化硅圓盤依次用丙酮和異丙醇去除覆蓋在二氧化硅圓盤上的光刻膠，用蒸餾水清洗并烘干；

5）將步驟4）得到的烘干后的樣品放入XeF₂中進行刻蝕，將支撐二氧化硅圓盤的柱子直徑刻蝕到5μm以下；

6）利用二氧化碳激光器加熱回流將二氧化硅圓盤熔融成球形。

5.如權利要求4所述的芯片上的球形光學微腔的制備方法，其特征在于，步驟4）中所述烘干的溫度為105-120℃。

6.如權利要求4所述的芯片上的球形光學微腔的制備方法，其特征在于，步驟2）中所述掩膜版的形狀為直徑為80-400μm的圓形。

7.如權利要求4所述的芯片上的球形光學微腔的制備方法，其特征在于，步驟3）中所述腐蝕處理時間為15-80min。