[發(fā)明專利]用于電感耦合等離子體源的內(nèi)部分離法拉第屏蔽有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210396411.8 | 申請(qǐng)日： | 2012-10-18 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103107055A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-05-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | T.米勒;S.張 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | FEI公司 |
| 主分類號(hào)： | H01J27/02 | 分類號(hào)： | H01J27/02;H01J27/16;H01J37/32 |
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 馬紅梅;劉春元 |
| 地址： | 美國(guó)俄*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 電感 耦合 等離子體 內(nèi)部 分離 法拉第 屏蔽 | ||
1.一種帶電粒子束系統(tǒng)，其包括；
等離子體源，其包括；
用于包含等離子體的等離子體室；
導(dǎo)體，其用于向等離子體室中提供射頻能量；以及
導(dǎo)體屏蔽，其用于減少提供射頻能量的導(dǎo)體與等離子體之間的電容耦合，其中，該導(dǎo)電屏蔽被放置在等離子體室內(nèi)；以及
一個(gè)或多個(gè)聚焦透鏡，其用于使來(lái)自等離子體源的帶電粒子聚焦到樣本上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電粒子束系統(tǒng)，還包括用于使導(dǎo)電屏蔽電偏置至期望電壓的偏置電極；以及。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電粒子束系統(tǒng)，其中，所述導(dǎo)電屏蔽包括被涂敷到等離子體室的內(nèi)壁上的層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電粒子束系統(tǒng)，其中，所述導(dǎo)電屏蔽包括被插在等離子體室內(nèi)的薄導(dǎo)電箔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電粒子束系統(tǒng)，還包括圍繞等離子體室的至少一部分并與之進(jìn)行熱接觸的冷卻流體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶電粒子束系統(tǒng)，其中，所述冷卻流體包括空氣或液體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電粒子束系統(tǒng)，其中，所述導(dǎo)電屏蔽被保持在與等離子體殼層的外邊界基本上相同的電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電粒子束系統(tǒng)，其中，所述導(dǎo)電屏蔽被電隔離且在操作期間處于與等離子體殼層的外邊界相同的電位。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電粒子束系統(tǒng)，其中，所述導(dǎo)電屏蔽被保持在具有在500V和100?kV之間的量值的電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電粒子束系統(tǒng)，其中，所述導(dǎo)電屏蔽被保持在具有在5000V和50000V之間的量值的電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電粒子束系統(tǒng)，其中，所述等離子體被偏置至一定電位以產(chǎn)生在500eV和100keV之間的帶電粒子的著陸能量。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電粒子束系統(tǒng)，其中，?在操作中，等離子體室中的等離子體和導(dǎo)電屏蔽被保持在不同于接地電位的電位。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電粒子束系統(tǒng)，其中，所述導(dǎo)電屏蔽是分離法拉第屏蔽。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的帶電粒子束系統(tǒng)，其中，所述分離法拉第屏蔽被卷繞以在等離子體室內(nèi)形成圓筒形狀。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電粒子束系統(tǒng)，其中，所述等離子體溫度被保持在低到足以避免等離子體室內(nèi)的導(dǎo)電屏蔽的濺射。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電粒子束系統(tǒng)，其中，所述導(dǎo)電屏蔽將來(lái)自等離子體的熱量分布到等離子體室的壁。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電粒子束系統(tǒng)，其中，用于向等離子體室中提供射頻能量的導(dǎo)體包括用于冷卻流體通過(guò)的內(nèi)部通道。
18.一種操作包括等離子體室的電感耦合等離子體源的方法，其包括：
從至少一個(gè)導(dǎo)電線圈向等離子體室中提供射頻能量以在等離子體室中保持等離子體；
提供導(dǎo)電屏蔽以減少射頻源與等離子體之間的電容耦合；
將等離子體和導(dǎo)電屏蔽保持在不同于接地電位的電位；
從等離子體室提取帶電粒子；以及
使得帶電粒子聚焦成射束并將該射束引導(dǎo)到工件上或附近。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括提供冷卻流體以使等離子體室冷卻。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，提供導(dǎo)電屏蔽包括提供被涂敷到等離子體室的內(nèi)壁上的導(dǎo)電屏蔽。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，提供導(dǎo)電屏蔽包括被插入到等離子體室的內(nèi)部中的導(dǎo)電材料。
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