[發(fā)明專利]基板表層線路圖形制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210396390.X | 申請日： | 2012-10-17 |
| 公開（公告）號： | CN102883542A | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 梁少文;吳小龍;吳梅珠;徐杰棟;劉秋華;胡廣群;周文木;陳文錄 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫江南計(jì)算技術(shù)研究所 |
| 主分類號： | H05K3/06 | 分類號： | H05K3/06 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人： | 龔燮英 |
| 地址： | 214083 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 表層 線路 圖形 制作方法 | ||
1.一種基板表層線路圖形制作方法，其特征在于包括：
第一步驟，用于對包含金屬化通孔的基板進(jìn)行第一次貼膜，從而在包含金屬化通孔的基板的表面貼第一干膜和保護(hù)膜，并且對包含線路和封孔部分的整個圖形部分進(jìn)行曝光，曝光后撕去第一干膜表層的保護(hù)膜；
第二步驟，用于進(jìn)行第二次貼膜，從而在第一干膜的表面貼第二干膜和保護(hù)膜，并且進(jìn)行第二次曝光，只曝含金屬化通孔封孔部分；
第三步驟，用于撕去表層的第二干膜的保護(hù)膜，然后對第一干膜和第二干膜同時顯影；
第四步驟，用于進(jìn)行蝕刻并去除第一干膜和第二干膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板表層線路圖形制作方法，其特征在于，第二干膜的厚度大于第一干膜的厚度，第一干膜的解析度大于第二干膜的解析度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板表層線路圖形制作方法，其特征在于，第一干膜的厚度為0.7-1.2mil，第二干膜的厚度為1.5-2mil。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板表層線路圖形制作方法，其特征在于，第一次曝光和第二次曝光的漲縮一致，且第二次曝光后的掩孔圖形焊盤環(huán)寬稍比第一次曝光后的圖形環(huán)寬小10-50μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板表層線路圖形制作方法，其特征在于，在第三步驟中，顯影速度根據(jù)兩層組合干膜顯影點(diǎn)測試獲得。
6.一種基板表層線路圖形制作方法，其特征在于包括：
第一步驟，用于對包含金屬化通孔的基板進(jìn)行第一次貼膜，從而在包含金屬化通孔的基板的表面貼第一干膜和保護(hù)膜，并且對只曝含金屬化通孔封孔部分進(jìn)行曝光；
第二步驟，用于撕去表層第一干膜的保護(hù)膜，并進(jìn)行顯影，從而只留下金屬化通孔封孔部分上的第一干膜部分；
第三步驟，用于第二步驟得到的結(jié)構(gòu)表面上真空壓第二干膜；隨后進(jìn)行第二次曝光，第二次曝光圖形可不包括含金屬化孔封孔部分，也可包括含金屬化孔封孔部分；
第四步驟，用于執(zhí)行第二次顯影；
第五步驟，用于進(jìn)行蝕刻并去除第一干膜和第二干膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板表層線路圖形制作方法，其特征在于，第二干膜的厚度小于第一干膜的厚度，第一干膜的解析度小于第二干膜的解析度。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的基板表層線路圖形制作方法，其特征在于，第一干膜的厚度為1.5-2mil，第二干膜的厚度為0.7-1.2mil。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的基板表層線路圖形制作方法，其特征在于，若第三步驟中第二次曝光圖形包括金屬化孔封孔部分，第二次曝光的焊盤環(huán)寬比第一次曝光圖形環(huán)寬小10-50μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的基板表層線路圖形制作方法，其特征在于，第四步驟的第二次顯影的顯影點(diǎn)按40～60%控制。
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