[發明專利]工作溫度可控多芯片組件的集成方法

有效

• 申請號: 201210396192.3
• 申請日: 2012-10-18
• 公開（公告）號: CN102881602A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 楊成剛;蘇貴東;劉俊
• 申請（專利權）人: 貴州振華風光半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/48;H01L23/15
• 代理公司: 貴陽中工知識產權代理事務所 52106
• 代理人: 劉安寧

1.?一種溫度可控多芯片組件的集成方法，它是采用包括微型熱電致冷、厚膜絲網印刷、厚膜激光調阻、多層低溫共燒陶瓷、熱信號采集的厚膜熱敏電阻的一體化集成技術來制作溫度可控多芯片組件；所用多層共燒陶瓷基片由多層陶瓷燒結而成，在每一層含有金屬化通孔、導帶、裕量較大的阻帶；其特征在于：在多層共燒陶瓷基片的第二層陶瓷版上埋置厚膜熱敏電阻，其位置正對溫度較敏感的集成電路芯片；在該基片正面進行多芯片三維平面集成，包括導帶、阻帶、集成電路芯片、小容量電感、電容和微型元器件；在該基片背面進行半導體致冷器的集成，并分別從N型半導體、P型半導體的兩端通過通孔的形式連接到表面鍵合區。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述陶瓷基片材料為氮化鋁陶瓷。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述埋置厚膜熱敏電阻的方法是采用絲網印刷的方式，將厚膜電子漿料按規定的圖形印刷在陶瓷基片上。

4.?如權利要求1所述的方法，其特征在于所述半導體致冷器的集成，是先制備N型和P型半導體晶粒，再用專用不銹鋼夾具將頂層氮化鋁陶瓷基片、N型和P型半導體晶粒、底層氮化鋁陶瓷基片、合金片按規定位置定位放置并固定，最后在真空合金爐中完成N型和P型半導體晶粒的合金焊接。