[發明專利]精細線條制備方法

有效

• 申請號: 201210395105.2
• 申請日: 2012-10-17
• 公開（公告）號: CN103779190B
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發明（設計）人: 孟令款;李春龍;賀曉彬
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;G03F1/80
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種精細線條制備方法，包括：

在襯底上形成結構材料層和硬掩模層；

在硬掩模層上形成電子束光刻膠，執行電子束曝光形成電子束光刻膠圖形；

以電子束光刻膠圖形為掩模，刻蝕形成硬掩模圖形；

以硬掩模圖形為掩模，采用干法刻蝕技術刻蝕結構材料層，形成所需要的精細線條，

其中刻蝕結構材料層時，先執行Cl₂、HBr的主刻蝕，然后執行HBr與O₂的過刻蝕，在主刻蝕步驟增加輔助性的刻蝕氣體，起到保護側壁的作用，輔助性的刻蝕氣體包括CHF₃、CH₃F、CH₂F₂及其組合，

刻蝕結構材料層之后進一步采用SPM/APM濕法清洗液的濕法腐蝕工藝去除刻蝕過程中產生的聚合物。

2.如權利要求1所述的方法，其中，硬掩模層包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅及其組合。

3.如權利要求2所述的方法，其中，硬掩模層為氧化硅-氮化硅-氧化硅的疊層結構。

4.如權利要求1所述的方法，其中，硬掩模層的刻蝕采用等離子體干法刻蝕技術。

5.如權利要求4所述的方法，其中，采用碳氟基氣體刻蝕硬掩模層，碳氟基氣體包括CF₄、CHF₃、CH₃F、CH₂F₂及其組合。

6.如權利要求1所述的方法，其中，刻蝕硬掩模之后還包括干法去膠和/或濕法腐蝕清洗。

7.如權利要求1所述的方法，其中，結構材料層為假柵電極層、金屬柵電極層、局部互連層中的一種。