[發(fā)明專利]用于形成具有選擇性射極的太陽能電池的方法和裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210394975.8
• 申請日: 2012-10-15
• 公開（公告）號: CN103050571A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 特德·伊甘;愛德華·布迪亞爾托
• 申請（專利權(quán)）人: 應用材料意大利有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;B41M1/12
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11258
• 代理人: 柳春雷

1.一種形成具選擇性射極的太陽能電池的方法，其包括如下步驟：

在基板接收表面上放置基板，其中所述基板具有表面，所述表面包括：

至少第一圖案化重摻雜區(qū)域，所述第一圖案重摻雜區(qū)域形成在所述表面上并具有第一摻雜濃度且限定選擇性射極；以及

第二摻雜射極區(qū)域，所述第二摻雜射極區(qū)域具有小于所述第一摻雜濃度的第二摻雜濃度，其中所述第二摻雜射極區(qū)域圍繞所述第一圖案化重摻雜區(qū)域；

確定所述第一圖案化重摻雜區(qū)域在所述基板上的位置，其中確定所述位置的步驟包括：

獲取所述表面的一部分的光學圖像；

對所述光學圖像進行光學濾波；

使用傅里葉變換來處理經(jīng)濾波的光學圖像；以及

評價所述第一圖案化重摻雜區(qū)域和所述第二摻雜射極區(qū)域在經(jīng)濾波且傅里葉變換的光學圖像中的對比度，以確定所述第一圖案化重摻雜區(qū)域的位置；

通過使用從所述第一圖案化重摻雜區(qū)域在所述基板上的確定的位置所接收的信息，將絲網(wǎng)印刷掩模中的一個或多個區(qū)別性特征對準所述第一圖案化重摻雜區(qū)域；以及

在所述第一圖案化重摻雜區(qū)域的至少一部分上沉積材料層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使用傅里葉變換來處理經(jīng)濾波的光學圖像的步驟包括：

通過在傅里葉變換空間中選擇經(jīng)濾波的光學圖像的所述第一圖案化重摻雜區(qū)域的特征，并過濾不需要的背景圖像，以產(chǎn)生經(jīng)濾波的傅里葉變換圖像；

通過使用傅里葉逆變換，轉(zhuǎn)換所述經(jīng)濾波的傅里葉變換圖像以產(chǎn)生最終圖像，所述最終圖像在所述第一圖案化重摻雜區(qū)域與所述第二摻雜射極區(qū)域之間具有較高的對比度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中獲取所述表面的一部分的光學圖像的步驟包括：

從所述表面接收第一波長的電磁輻射，所述第一波長是可見光范圍或紅外線范圍的受限制子范圍。

4.一種形成具選擇性射極的太陽能電池的方法，其包括如下步驟：

在基板接收表面上放置基板，其中所述基板具有表面，所述表面包括：

至少第一圖案化重摻雜區(qū)域，所述第一圖案重摻雜區(qū)域形成在所述表面上并具有第一摻雜濃度且限定選擇性射極；以及

第二摻雜射極區(qū)域，所述第二摻雜射極區(qū)域具有小于所述第一摻雜濃度的第二摻雜濃度，其中所述第二摻雜射極區(qū)域圍繞所述第一圖案化重摻雜區(qū)域；

確定所述第一圖案化重摻雜區(qū)域在所述基板上的位置，其中確定所述位置的步驟包括：

獲取所述表面的一部分的光學圖像，其中獲取所述光學圖像的步驟包括從所述表面接受第一波長的電磁輻射，所述第一波長位于大于或等于約8μm的長波紅外光譜中；

評價在所述光學圖像中所述第一圖案化重摻雜區(qū)域和所述第二摻雜射極區(qū)域之間的對比度；

通過使用從所述第一圖案化重摻雜區(qū)域在所述基板上的確定的位置所接收的信息，將絲網(wǎng)印刷掩模中的一個或多個區(qū)別性特征對準所述第一圖案化重摻雜區(qū)域；以及

在所述第一圖案化重摻雜區(qū)域的至少一部分上沉積材料層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4所述的方法，其中所述表面通過包括下列步驟的方法形成：

以圖案在所述基板的所述表面上沉積第一摻雜材料，所述第一摻雜材料包括具有所述第一摻雜濃度的第一摻雜原子；

加熱所述基板和所述第一摻雜材料，以使所述第一摻雜材料的所述第一摻雜原子擴散進入所述表面，進而形成所述第一圖案化重摻雜區(qū)域；以及

在圍繞所述第一圖案化重摻雜區(qū)域的區(qū)域中沉積第二摻雜材料，以限定所述第二摻雜射極區(qū)域，所述第二摻雜材料包括具有所述第二摻雜濃度的第二摻雜原子。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第一摻雜原子及所述第二摻雜原子各自從包括磷、砷、銻、硼、鋁和鎵的元素群組中選出。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其中所述第一摻雜原子及所述第二摻雜原子為相同類型的摻雜原子。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7所述的方法，其中沉積在所述第一圖案化重摻雜區(qū)域的一部分上的層包括導電材料，所述基板包括硅，所述第一摻雜濃度大于約1018個原子每立方厘米。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8所述的方法，其中通過定位成鄰近所述表面的光學檢測器來實現(xiàn)接收電磁輻射。