[發(fā)明專利]ZnS納米材料陣列的簡單制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210394945.7
• 申請日: 2012-10-17
• 公開（公告）號: CN102874865A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 武祥;賈薇娜
• 申請（專利權(quán)）人: 哈爾濱師范大學(xué)
• 主分類號: C01G9/08
• 分類號: C01G9/08;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109
• 代理人: 韓末洙

1.ZnS納米材料陣列的簡單制備方法，其特征在于該方法具體是按照以下步驟制備的：

一、按(NH₂)₂CS物質(zhì)的量和質(zhì)量濃度為78%~82%N₂H₄·H₂O溶液的體積比為5mmol：33mL~35mL，稱取(NH₂)₂CS和N₂H₄·H₂O溶液，將稱取的(NH₂)₂CS溶解在N₂H₄·H₂O溶液中，采用磁力攪拌器攪拌20min~50min,控制轉(zhuǎn)速為200r/min~300r/min，得到混合溶液；

二、處理鋅，將鋅放入濃度為0.6mol/L~1.0mo1/L稀鹽酸中，在頻率為60Hz~70Hz超聲條件下放置5min~10min，再將鋅取出放入無水乙醇中在90Hz~100Hz超聲條件下放置15min~20min，再將鋅取出放入去離子水中在90Hz~100Hz超聲條件下放置15min~20min，再將鋅取出，得到表面純凈的鋅；

三、將步驟二處理的鋅浸沒于步驟一制備的混合溶液中，放入反應(yīng)釜中，在溫度為140℃~150℃條件下保持5h~7h，取出冷卻至室溫，取沉淀物依次用去離子水和無水乙醇在轉(zhuǎn)速為3000r/min~5000r/min的條件下離心洗滌6次~10次，每次5min~10min，再將沉淀物放入真空干燥箱中，抽真空后在溫度為50℃~60℃條件下保持5h~7h，得到ZnS納米線束陣列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ZnS納米材料陣列的簡單制備方法，其特征在于步驟一中N₂H₄·H₂O溶液的質(zhì)量濃度為79%~81%。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ZnS納米材料陣列的簡單制備方法，其特征在于步驟一中攪拌30min~40min，控制速度為220r/min~280r/min。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的ZnS納米材料陣列的簡單制備方法，其特征在于步驟二中稀鹽酸的濃度為0.7mol/L~0.9mol/L。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ZnS納米材料陣列的簡單制備方法，其特征在于步驟三中放入反應(yīng)釜中，在溫度為142℃~148℃條件下保持6h。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ZnS納米材料陣列的簡單制備方法，其特征在于步驟三中在轉(zhuǎn)速為3500r/min~4000r/min的條件下離心洗滌7次~9次，每次5min。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的ZnS納米材料陣列的簡單制備方法，其特征在于步驟三中抽真空后在溫度為52℃~58℃條件下保持5.5h~6h。