[發明專利]一種改善通孔側壁形貌的方法

無效

• 申請號: 201210393966.7
• 申請日: 2012-10-17
• 公開（公告）號: CN103779201A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 陶錚;松尾裕史
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/768
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種改善通孔側壁形貌的方法，其特征在于：

將硅基底放置在一等離子體刻蝕腔內，在所述等離子體刻蝕腔內通入反應氣體，所述反應氣體包括含氟元素的氣體，還包括與硅反應形成鈍化層的氣體，所述與硅反應形成鈍化層的氣體為COS氣體或H2S氣體的一種或兩種，所述與硅反應形成鈍化層的氣體占總反應氣體的0.1%-30%。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的含氟元素的氣體為SF6、CF4、CHF4、NF3中的一種或多種任意組合的混合氣體。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的反應氣體還包括含氧元素的氣體，如CO2、CO、O2。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述COS氣體與硅反應形成的鈍化層為硅硫化合物、碳硫化合物或硅氧化合物。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述H2S氣體與硅反應形成的鈍化層為硅硫化合物或氫硫化合物。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的等離子體刻蝕腔體壓力為50毫托至300毫托，源射頻頻率為13兆赫茲至162兆赫茲，源射頻功率為2000瓦至5000瓦。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的含氟元素的氣體流量參數范圍為100sccm-1500sccm，所述與硅反應形成鈍化層的氣體流量參數范圍為100sccm-500sccm。

8.根據權利要求3所述的方法，其特征在于：所述含氧元素的氣體流量參數范圍為100sccm-500sccm。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述SF₆、O₂和COS的氣體比例為3:1:1。

10.根據權利要求3所述的方法，其特征在于：含氟元素氣體、含氧元素氣體和H₂S氣體單位體積流量比例為2:1:1。