[發(fā)明專利]微光電感單元及其背讀式半導(dǎo)體光電倍增管及其組件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210393939.X | 申請(qǐng)日： | 2012-10-17 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102956739A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-03-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鐘煥昇;黃秋;彭旗宇;閆澤武 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 黃秋 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/107 | 分類號(hào)： | H01L31/107;H01L31/02;H01L27/144 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人： | 田利瓊 |
| 地址： | 200030 上海市*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 微光 電感 單元 及其 背讀式 半導(dǎo)體 光電倍增管 組件 | ||
1.微光電感單元，其特征在于，所述微光電感單元包括：
具有第一側(cè)和第二側(cè)的p-型半導(dǎo)體襯底，第一側(cè)設(shè)置一凹槽，凹槽內(nèi)填充有導(dǎo)電材料，所述第二側(cè)摻雜有n-型離子；p-型半導(dǎo)體襯底的第二側(cè)設(shè)置p-型外延層，p-型外延層包括：
靠近p-型半導(dǎo)體襯底并摻雜p-型離子的第一區(qū)域，和
設(shè)置在第一區(qū)域上的第二區(qū)域，第二區(qū)域的摻雜的p-型離子高于所述第一區(qū)域的摻雜水平。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微光電感單元，其特征在于：所述凹槽為圓柱狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微光電感單元，其特征在于：所述凹槽具有寬高比為
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微光電感單元，其特征在于：所述凹槽口徑為微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微光電感單元，其特征在于：所述p-型半導(dǎo)體襯底選用單晶硅或砷化鎵。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微光電感單元，其特征在于：所述p-型外延層選用單晶硅或砷化鎵。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微光電感單元，其特征在于：所述導(dǎo)電材料是選自由n-型多晶硅或n-型多晶砷化鎵。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微光電感單元，其特征在于：所述導(dǎo)電材料為金屬材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微光電感單元，其特征在于：所述微光電感單元還包括設(shè)置在凹槽的表面上，垂直于所述p型半導(dǎo)體襯底的第一側(cè)的電絕緣層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微光電感單元，其特征在于：所述p-型半導(dǎo)體襯底厚度為20微米到600微米。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微光電感單元，其特征在于：所述p-型外延層厚度為微米到5微米。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微光電感單元，其特征在于：所述半導(dǎo)體光電倍增管還包括：設(shè)置在p型外延層的抗反射層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微光電感單元，其特征在于：所述導(dǎo)電性材料與所述第二側(cè)部之間的p型半導(dǎo)體襯底部分為0.2微米至10微米厚。
14.微光電感單元，其特征在于，所述微光電感單元包括：
具有第一側(cè)和第二側(cè)的n-型半導(dǎo)體襯底，第一側(cè)設(shè)置一凹槽，凹槽內(nèi)填充有導(dǎo)電材料，所述第二側(cè)摻雜有p-型離子；n-型半導(dǎo)體襯底的第二側(cè)設(shè)置n-型外延層，n-型外延層包括：
靠近n-型半導(dǎo)體襯底并摻雜n-型離子的第一區(qū)域，和
設(shè)置在第一區(qū)域上的第二區(qū)域，第二區(qū)域的摻雜的n-型離子高于所述第一區(qū)域的摻雜水平。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的微光電感單元，其特征在于：所述n-型半導(dǎo)體襯底選用單晶硅或砷化鎵。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的微光電感單元，其特征在于：所述n-型外延層選用單晶硅或砷化鎵。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的微光電感單元，其特征在于：所述導(dǎo)電材料為金屬材料；所述凹槽的表面上，垂直于所述n-型半導(dǎo)體襯底的第一側(cè)的電絕緣層。
18.一種背讀式半導(dǎo)體光電倍增管，其特征在于，所述導(dǎo)體光電倍增管包括如權(quán)利要求1-17任意項(xiàng)所述的微光電感單元，所述微光電感單元的p型半導(dǎo)體襯底或n-型半導(dǎo)體襯底的第一側(cè)上的，設(shè)置有源和/或無(wú)源電子電路。
19.一種背讀式半導(dǎo)體光電倍增管組件，其特征在于，所述導(dǎo)體光電倍增管包括若干個(gè)如權(quán)利要求18的背讀式半導(dǎo)體光電倍增管，還包括設(shè)置的特定集成電路，所述特定集成電路連接所述背讀式半導(dǎo)體光電倍增管p型或n-型半導(dǎo)體襯底的第一側(cè)并與每個(gè)導(dǎo)電材料連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
