[發(fā)明專利]一種基于少模光纖的通信系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210393511.5 | 申請日: | 2012-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN102904641A | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王華;陳明陽;祝遠(yuǎn)鋒;王學(xué)鋒;李路明;楊濟(jì)海;龔天翼 | 申請(專利權(quán))人: | 江西省電力公司信息通信分公司;江蘇大學(xué) |
| 主分類號: | H04B10/25 | 分類號: | H04B10/25;G02B6/02 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人: | 樓高潮 |
| 地址: | 330077 江西*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 光纖 通信 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光纖通信領(lǐng)域,尤其涉及由具有低彎曲損耗特性的少模光纖組成的光纖通信系統(tǒng)。
背景技術(shù)
為滿足光纖到戶的應(yīng)用需要,ITU-T提出了G.657標(biāo)準(zhǔn)光纖。符合G.657標(biāo)準(zhǔn)的光纜可以像銅纜一樣,沿著建筑物內(nèi)很小的拐角安裝,因此非專業(yè)的技術(shù)人員也可以掌握施工的方法。彎曲不敏感光纖主要有三種類型:階躍折射率剖面光纖[J.?Lightwave?Technol.,?2005,23(11):3494?]、包層帶凹槽折射率分布光纖[如專利號為ZL200610024532.4的發(fā)明專利:具有波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的彎曲不敏感光纖,專利號為ZL200410061392.9的發(fā)明專利:彎曲不敏感光纖及其制備方法]和基于微結(jié)構(gòu)的彎曲不敏感光纖[Opt.?Express,?2005,?13(12):4770]。但為了降低光纖的彎曲損耗,都采用了減小光纖的模場直徑,這就導(dǎo)致光纖與普通單模光纖之間連接時(shí),模場容易出現(xiàn)不匹配,且前兩種光纖的彎曲損耗仍較大。
發(fā)明專利“一種雙模光纖及其通信系統(tǒng)(201010589018.1)”,提出一種雙模光纖及其通信系統(tǒng),通過允許光纖傳輸高階模的方法,實(shí)現(xiàn)低彎曲損耗和與單模光纖低損耗連接的目的。但其彎曲損耗仍不夠低。
發(fā)明內(nèi)容
針對以上不足,本發(fā)明的目的是提出一種采用少模光纖與單模光纖組合的方法,實(shí)現(xiàn)單模的低彎曲損耗傳輸?shù)墓饫w通信系統(tǒng)。
本發(fā)明的的技術(shù)方案是:包括少模光纖、單模光纖、光發(fā)射機(jī)和光接收機(jī),所述光發(fā)射機(jī)經(jīng)單模光纖與少模光纖一端相連,少模光纖另一端經(jīng)單模光纖與光接收機(jī)相連。
所述少模光纖的纖芯與包層折射率差nclad-ncore取值范圍為0.0065~0.012,纖芯半徑r的取值范圍為4.4~6.4?μm,其中:nclad為包層折射率,ncore為纖芯折射率,r為纖芯半徑;在1310?nm波長時(shí),所述少模光纖的模場直徑M的取值范圍在8.6~9.5?μm之間;所述少模光纖在波長為1.26?μm時(shí)的歸一化頻率V=3.83~7.02;所述少模光纖與單模光纖連接的橫向錯(cuò)位小于1.5?μm。
本發(fā)明的有益效果:利用少模光纖的纖芯與包層之間具有高折射率差的特點(diǎn),實(shí)現(xiàn)超低彎曲損耗傳輸;同時(shí)由于纖芯直徑足夠大,使光纖具有大的模場直徑。少模光纖的基模可以在彎曲半徑為5mm時(shí)仍然具有低的彎曲損耗,其結(jié)構(gòu)簡單,制作工藝成熟。
少模光纖的模場直徑滿足標(biāo)準(zhǔn)單模光纖G.652光纖的標(biāo)準(zhǔn)要求。因此,通信系統(tǒng)中少模光纖與普通單模光纖連接時(shí),由于兩者的基模模場直徑(面積)相似,因此兩者的連接損耗較小。而少模光纖的高階模(即LP11模、LP21模和LP02模)與單模光纖的基模的模場分布滿足正交性,因此,少模光纖的高階模與單模光纖的基模不容易發(fā)生能量耦合。從而,使少模光纖以單模方式工作。由于纖芯與包層折射率差大,其基模與高階模之間的有效折射率差也大,因此,在傳輸過程中,基模能夠比較獨(dú)立地傳輸,而不容易與高階模發(fā)生能量轉(zhuǎn)換。
附圖說明
圖1?光纖通信系統(tǒng)示意圖;
圖2在模場直徑要求為9微米時(shí),纖芯與包層折射率差nclad-ncore與纖芯半徑的關(guān)系曲線;
圖3少模光纖的基模的彎曲損耗;
圖4單模光纖的基模耦合到少模光纖的高階模的連接損耗隨橫向錯(cuò)位的變化曲線。
具體實(shí)施方式
對于普通階躍型單模光纖,若要降低其彎曲損耗,最直接的方法是增大其纖芯與包層的折射率差。但由于包層束縛能力變強(qiáng),也會(huì)導(dǎo)致其基模模場面積的減小。而這樣就導(dǎo)致改進(jìn)后的光纖與普通單模光纖的連接損耗會(huì)增大。為此,就需要增大纖芯直徑,以增大光纖的模場面積。這樣就必然導(dǎo)致其歸一化頻率V值的增大,從而出現(xiàn)高階模。
為了與普通單模光纖實(shí)現(xiàn)有效的連接,要求少模光纖的基模的模場直徑與單模光纖相差較小。兩種光纖的連接損耗可由下面公式得到:
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H04B10-02 .零部件
H04B10-22 .兩個(gè)可相對移動(dòng)的站之間的傳輸
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