[發明專利]一種藍寶石復合襯底和其制備方法及其應用無效
| 申請號： | 201210393371.1 | 申請日： | 2012-10-17 |
| 公開（公告）號： | CN103779458A | 公開（公告）日： | 2014-05-07 |
| 發明（設計）人： | 莊文榮;孫明 | 申請（專利權）人： | 江蘇漢萊科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/00;C23C14/06;C30B25/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 213000 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 藍寶石 復合 襯底 制備 方法 及其 應用 | ||
1.一種藍寶石復合襯底，其特征在于包括藍寶石襯底，及通過射頻磁控濺射系統濺鍍在藍寶石之上的AlN應力協變層。
2.根據權利要求1所述的復合襯底，其特征在于藍寶石襯底為圖形化藍寶石襯底。
3.根據權利要求1所述的復合襯底，其特征在于AlN的厚度20-100nm。
4.根據權利要求1所述的復合襯底，其特征在于AlN的厚度20-40nm或70-100nm。
5.權利要求1-4任一項權利要求所述藍寶石復合襯底制備方法，包括：
步驟1：洗凈藍寶石襯底，并用氮氣吹干后放入射頻磁控濺射系統中；
步驟2：選擇鋁為靶材，調節射頻磁控濺射系統中氮氣或氨氣與氬氣的體積比例為（5-12）：1，控制襯底溫度在300-700℃之間，氣壓為55-100mtorr，濺射功率為40-80w；
步驟3：在藍寶石襯底預磊晶面濺鍍一層AlN，其厚度控制在20-100nm之間。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于藍寶石襯底為圖形化藍寶石襯底。
7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于氮氣或氨氣與氬氣的體積比例為（8-10）：1，控制襯底溫度在400-600℃之間,?氣壓為60-80mtorr，濺射功率為50-60w。
8.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于AlN厚度控制在20-40nm或70-100nm之間。
9.以權利要求1-4任一項權利要求所述的復合襯底或權利要求5-8任一項權利要求所述的制備方法制備成的復合襯底在制備LED芯片中的應用，其特征在于LED芯片從下到上包括：藍寶石襯底、AlN層、N型層、發光層、P型層或藍寶石基底、AlN層、P型層、發光層、N型層。
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