[發(fā)明專利]具有增強(qiáng)的發(fā)光特性的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210392869.6 | 申請日: | 2012-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN103165644A | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李源規(guī);李俊雨;張榮真;吳在煥;陳圣鉉 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204 | 代理人: | 余朦;姚志遠(yuǎn) |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 增強(qiáng) 發(fā)光 特性 有機(jī) 顯示 設(shè)備 及其 制造 方法 | ||
1.有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,包括:
襯底;
半導(dǎo)體層,位于所述襯底上;
電源線,位于所述襯底上且與所述半導(dǎo)體層間隔開;
絕緣層,位于所述半導(dǎo)體層和所述電源線上;
第一電極,位于所述絕緣層上;
像素限定層,在像素單元中限定所述第一電極;
發(fā)光層,位于由所述像素限定層在像素單元中所限定的所述第一電極上;
通孔,位于所述電源線上且穿過所述絕緣層和所述像素限定層;以及
第二電極,位于所述發(fā)光層和所述像素限定層上,且通過所述通孔電耦合到所述電源線。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,其中,空穴注入層和/或空穴傳輸層設(shè)置在所述第一電極和所述發(fā)光層之間。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,其中,電子傳輸層和/或電子注入層設(shè)置在所述發(fā)光層和所述第二電極之間。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,其中,所述第一電極是陽極,所述第二電極是陰極。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,其中,所述第一電極電耦合到所述半導(dǎo)體層。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,其中,所述半導(dǎo)體層包括柵電極、源電極和漏電極,所述第一電極連接到所述半導(dǎo)體層的所述漏電極。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,其中,所述電源線設(shè)置為向陰極提供電功率。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,其中,所述通孔的平均直徑是0.5至500μm。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,其中,傳導(dǎo)材料填充到所述通孔中,所述第二電極連接到所述傳導(dǎo)材料。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,其中,所述第二電極是光透射電極。
11.制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法,包括:
在襯底上形成半導(dǎo)體層;
在所述襯底上形成電源線,以與所述半導(dǎo)體層間隔開;
在所述半導(dǎo)體層和所述電源線上形成絕緣層;
在所述絕緣層上形成第一電極;
形成像素限定層,以在像素單元中限定所述第一電極;
在由所述像素限定層在像素單元中所限定的所述第一電極上形成發(fā)光層;
形成通孔,以穿過所述電源線上的所述絕緣層和所述像素限定層,以暴露部分所述電源線;以及
在所述發(fā)光層和所述像素限定層上形成第二電極,以通過所述通孔將所述第二電極電耦合到所述電源線。
12.如權(quán)利要求11所述的方法,還包括:
在形成所述發(fā)光層之前,在所述第一電極上形成空穴注入層和/或空穴傳輸層。
13.如權(quán)利要求11所述的方法,還包括:
在形成所述第二電極之前,在所述發(fā)光層上形成電子注入層和/或電子傳輸層。
14.如權(quán)利要求11所述的方法,其中,在形成所述第一電極的步驟中,將所述第一電極電耦合到所述半導(dǎo)體層。
15.如權(quán)利要求11所述的方法,其中,形成所述半導(dǎo)體層的步驟包括:形成柵電極,形成源電極和形成漏電極,并且形成所述第一電極的步驟包括將所述半導(dǎo)體層的所述漏電極連接到所述第一電極。
16.如權(quán)利要求11所述的方法,其中,所述電源線用于為陰極提供電功率。
17.如權(quán)利要求11所述的方法,其中,所述通孔由激光形成。
18.如權(quán)利要求11所述的方法,其中,所述通孔的平均直徑是0.5至500μm。
19.如權(quán)利要求11所述的方法,還包括:在形成所述第二電極之前,在所述通孔中填充傳導(dǎo)材料,并且在形成所述第二電極的步驟中,所述第二電極和填充到所述通孔中的所述傳導(dǎo)材料彼此連接。
20.如權(quán)利要求11所述的方法,其中,所述第二電極由光透射材料形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 增強(qiáng)片及增強(qiáng)方法
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