[發(fā)明專利]一種二氧化鈦芯/殼納米電纜陣列的制備方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210392780.X | 申請(qǐng)日： | 2012-10-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102953110A | 公開（公告）日： | 2013-03-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡小曄;孟國文;劉毛;許偉;韓方明;王兆明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院 |
| 主分類號(hào)： | C25D11/26 | 分類號(hào)： | C25D11/26;C30B30/02;C30B29/12;C30B29/66 |
| 代理公司： | 安徽合肥華信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 氧化 納米 電纜 陣列 制備 方法 | ||
1.一種二氧化鈦芯/殼納米電纜陣列的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
（1）首先將含鈦量為94—96%的金屬片在濃度比為1—2：1—2的乙醇和丙酮的混合溶液里超聲清洗60—70min以去除表面的有機(jī)物，然后再用去離子水反復(fù)清洗，并晾干；
（2）將清洗晾干后的金屬片在含有0.20—0.30mol/L氫氟酸的乙二醇溶液中進(jìn)行陽極氧化，其中氧化電壓為10—20v，氧化時(shí)間為10—15min；然后增加陽極氧化電壓到45—55v，氧化1.5—2h，形成上下兩層大小管徑不同的二氧化鈦納米管陣列；
（3）取出陽極氧化的金屬片，通過超聲振蕩，使在小電壓下陽極氧化制備的小管徑二氧化鈦納米管從大管徑二氧化鈦納米管陣列上分離，留下表面平整，無裂縫的二氧化鈦納米管陣列膜；
（4）配置含有4mol/L?堿溶液，將制備的二氧化鈦納米管陣列膜浸泡其中2-4?h后，去離子水清洗1—5分鐘；
（5）配置含有0.25-0.5mol/L的酸溶液，將在堿溶液中浸泡后的二氧化鈦納米管陣列，浸泡在酸溶液中1.5-2?h，去離子水清洗干凈，烘干，即可獲得二氧化鈦芯/殼納米電纜陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鈦芯/殼納米電纜陣列的制備方法，其特征在于所述的步驟（4）中的酸溶液為KOH或NaOH溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鈦芯/殼納米電纜陣列的制備方法，其特征在于所述的步驟（5）中的酸溶液為H2SO4、HCL、或HNO3等可溶性酸溶液。
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