[發明專利]鹵代有機氨基硅烷前體及包含該前體的薄膜沉積方法有效
| 申請號： | 201210392207.9 | 申請日： | 2012-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN103012457A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發明（設計）人： | 蕭滿超;雷新建;M·L·奧內爾;韓冰;R·M·皮爾斯泰恩;H·錢德拉;H·R·伯文;A·德雷克斯凱-科瓦克斯 | 申請（專利權）人： | 氣體產品與化學公司 |
| 主分類號： | C07F7/10 | 分類號： | C07F7/10;C23C16/44;C23C16/42;C23C16/34;C23C16/36;C23C16/40;H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 吳亦華;徐志明 |
| 地址： | 美國賓夕*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有機 氨基 硅烷 包含 薄膜 沉積 方法 | ||
1.由下式I表示的鹵代有機氨基硅烷前體：
XmR1nHpSi(NR2R3)4-m-n-p????I
其中X是選自Cl、Br、I的鹵素；R1獨立地選自直鏈或支鏈C1-C10烷基、C2-C12烯基、C2-C12炔基、C4-C10環烷基和C6-C10芳基；R2選自直鏈或支鏈C1-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10環烷基和C6-C10芳基；R3選自支鏈C3-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10環烷基和C6-C10芳基；m是1或2；n是0、1或2；p是0、1或2；且(m+n+p)的和小于4，且其中R2和R3連接以形成環。
2.如權利要求1的鹵代有機氨基硅烷前體，其中R1和R2相同。
3.如權利要求1的鹵代有機氨基硅烷前體，其中R1和R2不同。
4.通過沉積工藝在襯底的至少一個表面上形成介電薄膜的方法，所述沉積工藝選自化學氣相沉積工藝和原子層沉積工藝，該方法包括：
在反應室中提供所述襯底的該至少一個表面；
引入至少一種具有下式I的鹵代有機氨基硅烷前體：
XmR1nHpSi(NR2R3)4-m-n-p????I
其中X是選自Cl、Br、I的鹵素；R1獨立地選自直鏈或支鏈C1-C10烷基、C2-C12烯基、C2-C12炔基、C4-C10環烷基和C6-C10芳基；R2選自直鏈或支鏈C1-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10環烷基和C6-C10芳基；R3選自支鏈C3-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10環烷基和C6-C10芳基；m是1或2；n是0、1或2；p是0、1或2；且(m+n+p)的和小于4，且其中R2和R3連接以形成環；
將含氮源引入反應器中，其中所述至少一種有機氨基硅烷前體和所述含氮源反應以在該至少一個表面上獲得所述的介電薄膜。
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