[發明專利]一種人工濕地表層基質的制備方法

有效

• 申請號: 201210391611.4
• 申請日: 2012-10-16
• 公開（公告）號: CN102849856A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 吳振斌;賀鋒;張義;夏世斌;徐棟;周巧紅
• 申請（專利權）人: 中國科學院水生生物研究所
• 主分類號: C02F3/32
• 分類號: C02F3/32;C02F3/00
• 代理公司: 武漢宇晨專利事務所 42001
• 代理人: 王敏鋒

1.一種人工濕地表層基質的制備方法，其步驟是：

1）選擇以工業廢渣制備的多孔環保陶瓷濾球為基質原料，陶瓷濾球粒徑為2-5?mm；

2）將陶瓷濾球置于稀酸溶液中浸泡22-30h后，用清水洗至中性，沖洗陶瓷濾球后的溶液pH?為6.5-7.5；

3）負載納米半導體光催化劑薄膜于陶瓷濾球表面，制備成光催化環保濾球，光催化濾球表面和斷面的SEM掃描；

4）將2-5cm厚度的環保濾球作為表層基質材料應用于人工濕地污水處理系統，采用內徑25cm的PCV管，高度為100cm，基質由上至下依次為光催化濾球、沸石、無煙煤和碎石，沸石、無煙煤和碎石的填充高度各為28-32cm，基質總填充高度為92cm；

5）在陰雨天和濕地植物生長茂盛區域通過外加光源進行間歇照射。

2.根據權利要求1所述的一種人工濕地表層基質的制備方法，其特征在于：所述的環保陶瓷濾球為以鎂工業廢渣為主原料，廢物資源化利用制備的鎂渣多孔陶瓷濾球。

3.根據權利要求1所述的一種人工濕地表層基質的制備方法，其特征在于：所述的納米半導體光催化劑為氧化物半導體、硫化物半導體、摻雜氧化物半導體、摻雜硫化物半導體中的任意一種或二種至四種的混合。

4.根據權利要求1所述的一種人工濕地表層基質的制備方法，其特征在于：所述的外加光源是高壓汞燈、高壓鈉燈、熒光中的任意一種或二種至三種的混合光源。