[發明專利]快閃存儲器及其電壓控制方法在審
| 申請號： | 201210391237.8 | 申請日： | 2012-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN103730145A | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發明（設計）人： | 胡洪;王林凱;劉銘 | 申請（專利權）人： | 北京兆易創新科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C7/10 | 分類號： | G11C7/10;G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 吳貴明;王術蘭 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 閃存 及其 電壓 控制 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種快閃存儲器的電壓控制方法，其特征在于，包括：
當所述快閃存儲器處于待命狀態時，生成待命正電壓和待命負電壓；
接收讀操作指令，根據所述讀操作指令選擇存儲單元；
將所述待命正電壓施加到選擇的所述存儲單元的柵極，將所述待命負電壓施加到未被選中的存儲單元的柵極。
2.一種快閃存儲器，其特征在于，包括：
電壓生成模塊，用于當所述快閃存儲器處于待命狀態時，生成待命正電壓和待命負電壓；
存儲陣列模塊，用于接收讀操作指令，根據所述讀操作指令選擇存儲單元；以及將所述電壓生成模塊生成的待命正電壓施加到選擇的所述存儲單元的柵極，將所述電壓生成模塊生成的待命負電壓施加到未被選中的存儲單元的柵極。
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